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高压eGaN HEMT开关行为及其影响因素研究
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《电工电能新技术》2020年 第4期39卷 17-26页
作者:彭子和 秦海鸿 张英 修强 储师舜多电飞机电气系统工业与信息化部重点实验室南京航空航天大学江苏南京211106 苏州华碧微科检测技术有限公司江苏苏州215021 
为了探究高压eGaN HEMT的开关行为及其影响因素,首先详细分析了eGaN HEMT的开关过程,推导出开关各个阶段的持续时间及影响因素,并将其归纳为器件参数、驱动电路参数和工况,通过实验对eGaN HEMT开关过程和驱动电路参数以及工况对eGaN HEM...
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