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碳化硅器件的短路保护:设计准则和电路: 收藏
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引用; 《中国电机工程学报》2022年第2期42卷 728-736页; 作者：党子越彭晗彭皓康勇强电磁工程与新技术国家重点实验室(华中科技大学电气与电子工程学院)湖北省武汉市430074; 为了保障碳化硅(silicon carbide,SiC)在发生短路故障时可安全可靠的关断,需在掌握其短路特性基本规律的前提下,针对SiC短路耐受时间较短、短路下器件漏源极电压拐点不明显等特征,展开去饱和保护电路(desaturation fault protection,DES...; 为了保障碳化硅(silicon carbide,SiC)在发生短路故障时可安全可靠的关断,需在掌握其短路特性基本规律的前提下,针对SiC短路耐受时间较短、短路下器件漏源极电压拐点不明显等特征,展开去饱和保护电路(desaturation fault protection,DESAT)电路中关键参数的研究,并制定其工程化设计的参考标准。在此基础上,文中进一步提出基于氮化镓(gallium nitride,GaN)的高速、低传输延时的DESAT短路保护电路,短路保护电路的驱动动作延时仅为常规基于硅器件DESAT电路的23.2%。所提出的氮化镓DESAT电路为SiC MOSFET短路保护电路的更优越的实现方案。; 来源：详细信息评论

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