摘要：提出一种内嵌横向PNP晶体管的静电放电(ESD)双向防护器件(PNP_DDSCR).对新结构器件在不同ESD应力模式下的响应过程以及电流输运机制进行研究,内嵌横向PNP晶体管的引入,提高了DDSCR系统内部寄生晶体管的注入效率,促进正反馈系统建立,同时引入两条新的电流泄放通路,抑制电导调制效应,提高了电流泄放能力.结果表明,与传统的DDSCR器件相比,PNP_DDSCR器件在传输线脉冲(TLP)测试仿真中触发电压下降了31%,维持电压提高了16.8%,ESD设计窗口优化44.5%,具有更低的导通电阻.快速传输线脉冲(VF-TLP)测试仿真结果表明,新结构器件对瞬态过冲电压有更好的钳位能力,同时保持了较大的开启速度,在VF-TLP应力0.1 A时,PNP_DDSCR器件的过冲电压仅为DDSCR器件的37%.