摘要：阐述了一个采用Chartered 0.35μm CMOS工艺实现的应用于315 MHz幅度键控接收芯片的低功耗窄带低噪声放大器。该电路主要采用限定功耗下同时优化噪声性能和输入匹配的技术进行设计,并且采取了其他一些措施来进一步改善电路的性能。采用一个并-串谐振网络,提供镜像抑制。实验测试表明,该低噪声放大器的噪声系数为1.47 dB,功率增益为19.97 dB,输入三阶截断点为-15.53 dBm,镜像抑制为42.4 dB,功耗为1.4 mW。

摘要：基于标准N阱CMOS工艺设计了一种带隙基准电压产生及输出驱动转换电路。该电路采用0.6μmCSMC-HJN阱CMOS工艺验证,HSPICE模拟仿真结果表明电路输出基准电压为1.25V左右;在–55℃～125℃温度范围内的典型工艺参数条件下,电路温度系数仅为7×10-6/℃;电源电压范围为4V￣6V,在产生标称1.25V基准电压的同时,可以为负载提供1mA￣2mA的电流驱动能力。

摘要：分析了差分放大器的两种负反馈形式及反馈网络的反向传输效应在高性能差分放大器设计中的作用。讨论了差分放大器的输入输出关系、输入输出阻抗、负载。

摘要：为了改善星载存储器的抗SEU性能,增加星载存储器在空间使用的灵活性,文中基于ACTEL公司的ProAsic系列A3P400FPGA并采用扩展汉明码和TMR两种检错纠错方法相结合的方式,同时使用可变内存配置方案,设计了一种新型的抗SEU存储器电路。与传统的EDAC芯片相比,本设计不仅可以对出错数据进行修正而且还可以实时的进行回写。

摘要：基于双采样和电荷守恒原理 ,并为实现从s到z域准确的双线性变换 ,本文提出了一种新颖的开关电容基本组态 ,进而组构了五阶椭圆低通滤波器 .该滤波器应用典型 0 .34μm/ 3.3V硅CMOS工艺模型进行设计仿真 ,获得了 80MHz采样率、1 7.8MHz截止频率、0 .0 5 2dB最大通带纹波、4 2 .1dB最小阻带衰减和 74mW静态功耗的模拟测试结果 .同时 ,该双采样拓扑结构突破了滤波器受运放单位增益带宽和转换速率的传统约束 ,有效地改善了其高频应用性能 .这一结构已经应用于 1

摘要：ADS1606是典型的高性能模/数转换器。详细介绍了ADS1606的主要特性、数字部分控制、模拟输入方式选择、参考电压、电源特性、PCB设计要点以及多种控制结构的测试和分析等。同时,利用设计和测试ADS1606的过程,提出一些高性能模/数转换系统的设计经验。

摘要：针对大功率激光器设计一种高稳定、0～3．5A连续可调的恒流驱动测试系统。它具有0.5％以下的失真度，稳定可靠；整个系统采用计算机控制，便于操作、调节和使用。同时还有一套有效的电源保护措施，使系统安全可靠，能成为一种适用于大功率激光器的较为理想的测试系统。