摘要：课程思政建设在高校教育中被认为是有效履行立德树人根本任务的战略性措施。实践类课程在培养学生创新精神和实践能力方面具有优势,将思想政治教育融入其中有助于塑造学生的人生观和价值观。通过对微电子专业生产实习课程思政的整体设计和教学实践进行探讨,探索了思政元素的切入点,研究了具体的教学实验组织形式,形成了在实习实践类课程中可复制共享的课程思政教学方法。

摘要：构建互融互通的实习实践课程平台并基于此开展项目式教学对培养具有创新精神和实践能力的卓越人才有着十分重要的作用。对集成电路专业综合实验进行了顶层设计,以“集成电路工程实践”课程为例,阐述了实验教学改革情况和课程思政同项目驱动式教学方法的融合,进而提出了应有的政策保障措施,为新形势下高校面向国家战略需求,利用项目式教学方法培养卓越人才提供参考。

摘要：针对硅基光电探测响应度低的问题,设计了一款与标准CMOS工艺兼容的、可用于弱光探测的高响应度的NMOS型光电探测器(NMOS-PD).该探测器由栅体互连的NMOS管和T-well/N-well结光电二极管构成,利用光电二极管的光生伏特效应改变T阱电势,进而控制NMOS管的栅压和阈值电压,以此实现光信号的探测与倍增放大,故所设计光电探测器具有更高的光电流增益和更宽的动态范围.经理论模拟计算和优化设计,本文设计了总面积为20μm×20μm的NMOS-PD,选用整个T阱区作为光敏区域(16μm×16μm),以增加光的吸收量,所设计光电探测器经UMC 0.18μm CMOS工艺流片制备.测试结果表明,所设计探测器在400～700 nm波长范围内具有较好的响应度.采用630 nm LED作为光源,当输出光功率密度P_(opt)=5 mW/cm^2、漏源偏压V_(DS)=0.4 V时,NMOS-PD的响应度达到1 550 A/W,并实现了200 kHz的信号探测.尽管随着光强增大,光电探测器响应度逐渐降低,但整体上仍超过10~3A/W.与硅基CMOS工艺制备的传统光电探测器相比,所设计光电探测器结构不仅可在低压、低功耗下正常工作,且在弱光条件下具有极高的倍增放大能力,有望应用于弱光探测的图像传感领域.

摘要：基于UMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一款用于全球卫星导航系统(GNSS)的宽带低噪声放大器(LNA).其中,采用并联反馈电阻噪声抵消结构降低整体电路的噪声,使用电感峰化技术提升工作频带内的增益平坦度,进而优化高频噪声性能.此外,采用共源共栅结构提高电路的反向隔离度.仿真结果表明,在电源电压为1.8 V的条件下,低噪声放大器的-3 dB带宽为1 GHz.最大增益为15.08 dB.在1-2 GHz内增益变化范围为±1 dB,噪声系数为2.65-2.82 dB,输入回波损耗和反向传输系数分别小于-13 dB和-40 dB.芯片核心面积为740μm×445μm.

摘要：为了分析微电子工艺实验教学中多因素对实验结果的影响,提高微电子工艺实验教学的综合性和创新性,利用正交实验及其方差分析的方法,研究了射频功率、工作压强、气体组分及流量配比对硅通孔刻蚀深宽比和刻蚀速率的影响,并采用正交实验,分析了各个因素对实验结果影响的显著性,获得了优化的工艺参数。基于此方法设计的工艺实验教学,提高了教学效率和学生的综合实践能力,达到了新时期培养微电子卓越人才和新工科建设的目标。

摘要：随着微电子技术进入后摩尔时代,集成电路专业的研究生不仅要掌握现行的硅基微电子技术,还要能够应对行业未来的重大技术变革,引领时代发展。作为本科生“微电子器件基础”的进阶课程,“现代半导体器件物理”是集成电路专业研究生的核心课程,研究生对器件物理知识的熟识程度直接影响其半导体器件分析和集成电路设计能力。本课程改革以“学生中心,产出导向”为指导,通过梳理课程知识体系,构建模块化的知识地图,将最新学术成果和行业动态融入教学内容,并利用翻转课堂、分组讨论等教学新模式和多元考评体系培养研究生的创新思维,提升研究生学习的积极性、主动性和课程参与度。本课程的教学改革成果为集成电路专业研究生的核心课程建设和人才培养提供了一定的参考。