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InSb中杂质Cd的开管充氮箱法扩散: 收藏
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引用; 《红外与激光技术》1990年第1期19卷 29-32页; 作者：关凯明航空航天工业部三院八三五八所; 本文介绍了用于n-InSb上扩散Cd的开管充氮箱式扩散系统和工艺.该工艺是在总结硅器件箱法扩散特点的基础上,结合我们的具体情况设计研制出的,它具有自己的特色.通过试验得出Cd在InSb内的扩散系数D=D_0cxp(-AE/kT),其中D_0=4.22×10^(...; 本文介绍了用于n-InSb上扩散Cd的开管充氮箱式扩散系统和工艺.该工艺是在总结硅器件箱法扩散特点的基础上,结合我们的具体情况设计研制出的,它具有自己的特色.通过试验得出Cd在InSb内的扩散系数D=D_0cxp(-AE/kT),其中D_0=4.22×10^(-4)cm^2/s,△W=1.38eV.; 来源：详细信息评论

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