摘要：近带边折射率的准确测量对于深紫外发光二极管和激光二极管的光学结构设计是非常重要的.通常,各向异性光学薄膜的折射率等光学常数可以通过变角度椭圆光谱仪测得.然而,这种方法仍存在一些局限性.本文提出了一种利用测量宽带半导体带边折射率色散的有潜力方法,在1500 nm厚的AlN薄膜的荧光光谱中观察到一种源于Fabry-Perot效应的非周期振荡发射现象.基于荧光光谱的特点以及Fabry-Perot效应的定义, AlN薄膜在干涉加强和减弱处对应波长的近带边o光折射率可以被直接获得.这种折射率测量方法对于变角度椭圆光谱法是一种补充,对于转移薄膜以及较薄样品,测量其荧光光谱是一种更为直接而且有效的方法.

摘要：对n-p-n型AlGaN/GaN基HBTs的高频特性进行了模拟计算,分析了发射区、基区、集电区的一些材料参数对n-p-n型AlGaN/GaN基HBTs的高频特性的影响.发现基区的设计对频率性能影响很大,减小基区厚度、增大空穴浓度和迁移率将有效提高HBTs的频率性能.

摘要：设计了一种具有双Al N插入层的Al GaN/Al Na/GaN/Al Nb/GaN HEMT结构材料,用以提高沟道对2DEG的限制作用、改善材料的电学性能。采用MOCVD技术生长了该结构,重点研究了第一Al Nb插入层的生长时间对材料表面形貌和电学性能的影响,得到了最佳的Al Nb生长时间介于15~20s。对Al Nb生长时间为15s的样品进行了变温Hall测试,其2DEG迁移率在80K时达8849cm2/V.s,室温下为1967cm2/V.s,面密度始终保持在1.02×1013cm-2左右,几乎不随温度改变。用非接触式方块电阻测试系统测得该样品的方块电阻值为278.3Ω/□,不均匀性为1.95%,说明双Al N插入层的引入对提高HEMT结构材料的电学性能作用明显。