摘要：使用矩阵转换方法 ,对全息光刻中全息掩模衍射效率进行了数值模拟计算 ,讨论了记录介质显影前后特性的改变和再现时全息掩模复位精度对光刻图形质量的影响 ,并找出了影响图形质量的主要因素 .在此基础上设计了实验系统 ,最后得到了分辨率基本上只受初始光掩模分辨率限制的光刻图形 .

摘要：介绍将无铬相移掩模技术和双光束干涉曝光技术用于制作纳米级图形光纤光栅的基本原 理和实验系统设计。提出一种用可移动反射镜使写入光束扫描固定在一起的相移掩模和光纤组合体制作光纤光栅的方法,既便于系统调整,增强曝光能量,又可方便制作高分辨力、长尺寸光纤光栅,无论是周期光栅,还是非周期光栅。

摘要：激光直写系统是制作光刻掩模和ASIC器件的新型专用设备。微细加工光学技术国家重点实验室引进了男内第一台激光直写系统，利用这台系统，通过高精度激光束在光致抗蚀剂上扫描曝光，能够把设计图形直接转移到掩模版或芯片上，本文介绍激光直写系统在ASIC器件制作中的应用和具体工艺。

摘要：介绍一种全息光刻技术的基本原理 ,全息掩模复位精度的影响 ,全息光刻技术的优点及基本应用 ,并对全息光刻系统的设计考虑作了详细介绍 。

摘要：六十多年来,真空管对最难对付的很多技术问题已经提供了最有效的解决办法。如今,它们仍然在广泛使用。尽管出现了固体器件,但真空管仍然支配着很多应用。其中之一是微光成象和光增强。象增强器虽然也可以把光转换成电信号,但它们主要是用于增强光信号。固体器件一般不能增强光信号。在固体光电探测器中,只有雪崩二极管能产生佶号增强,但是,它们的尺寸小,限制了在成象方面的应用。

摘要：首先通过对０．３５μｍ 接触方孔在不同相移掩模情况下硅片表面空间象光强分布的模拟计算，得出不同相移掩模情况下的最优相移参数。在几种相移掩模中，衰减型对提高边缘斜率最为明显，因此我们决定采用衰减型相移掩模。最后编制了相应的实用化软件，该软件能够自动生成各种相移掩模并能够模拟计算不同照明参数、不同掩模、不同数值孔径、不同离焦情况下的空间象分布。

摘要：介绍了一种新型的光刻系统－全内反射全息光刻系统。着重讨论了设计该系统时的几个重要因素，给出了用该系统开展的实验研究结果。

摘要：激光直写系统是国际上９０年代制作集成电路光刻掩模版的新型专用设备。微细加工光学技术国家重点实验室从加拿大引进了国内第一台激光直写系统。利用这台系统，通过高精度激光束在光致抗蚀剂上扫描曝光，将设计图形直接转移到掩模或硅片上。激光直写系统的应用，可以分成一次曝光制作光刻掩模和多次套刻曝光制作器件两个方面。介绍使用激光直写系统制作光刻掩模和套刻器件的具体工艺。

摘要：根据所需光刻图形的分布 ,反推掩模结构的思路 ,提出了一种基于交替投影算法的掩模设计方法。该方法设计出的掩模为振幅和相位连续。并给出了一个设计实例和量化方法。实验结果表明该方法对复杂相移掩模的设计有效 ,可以减小邻近效应。

摘要：讨论了相移掩模提高光刻分辨力的基本原理 ,提出了一种抗蚀剂相移器制作衰减相移掩模的新方法 ,利用自行设计、建立的 Kr F准分子激光投影光刻实验曝光系统进行了实验研究 ,给出了实验结果 ,并与传统光刻方法作了比较。