摘要：积极开展技术革新,开发和改进野战抢修工具.一是研制快速分解、结合工具,为战场赢得时间.如研制快速扳手、液压工具等.二是设计标准规格的维修工具箱.设计、制造标准规格的维修工具箱系列,统一工具放置方式,可适应未来抢修工程车或抢修方舱安置、携行工具箱的要求.

摘要：在多浮空场环理论的基础上,采用深阱多浮空场环技术,在200μm的终端长度上实现了一种击穿电压为931V的VDMOS终端保护环结构。此终端硅表面各环电场均匀,最大表面电场强度为2.42e5V/cm,在相同条件下,该终端结构的耐压比普通多浮空场环终端结构提升了34.15%,有效提高了终端效率。

摘要：设计了一款55V N沟道沟槽型功率器件。通过对元胞与边端进行理论分析,结合实际工艺,对元胞与边端进行合理优化。通过对流片测试数据的分析,最终实现击穿电压为69.562V、阈值电压2.85V、特征导通电阻537.8 mΩ·cm2的功率器件设计。仿真与流片的击穿电压偏差1.5%、阈值电压偏差2.4%、导通电阻偏差0.83%,器件具有较高的可靠性。

摘要：对一款700 V功率场效应管失效芯片进行亮点分析,并通过TCAD软件进行数值仿真验证失效原因。最后对失效管的终端进行了改进设计,在215μm的终端长度上实现了779 V的耐压。结果表明,其硅表面最大场强为2.65×105 V/cm,有效解决了芯片失效问题,提高了器件的可靠性。同时终端长度比原失效终端长度缩小了13%,有效减小了器件的面积。

摘要：对一款75V功率场效应管失效芯片进行了分析。通过TCAD软件进行数值仿真,验证失效原因。在终端长度不变的前提下,获得具有两个场限环的终端结构,基本满足电场可靠性小于2.5×105 V/cm的要求。设计了三个场限环终端结构,击穿电压提高至94.7V,硅表面最大电场为2.17×105 V/cm,小于临界电场2.2×105 V/cm,降低了最大碰撞电离率,提高了器件的可靠性。