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硅衬底上射频集成电感研究
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《电子器件》2005年 第1期28卷 25-29页
作者:冯冠中 张玉明 张义门西安电子科技大学微电子所西安710071 
在分析硅衬底上射频螺旋电感物理模型的基础上,从几何参数、工艺参数及电感组成形式考虑,用模拟软件ASITIC(Analysis and Simulation of Spiral Inductors and Transformers for ICs)对影响电感值和 Q值及谐振频率的各参数进行全面详尽...
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一种高PSRR的无运放带隙基准电路
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《微电子学》2023年 第2期53卷 227-232页
作者:曹麒 罗萍 刘凡 杨秉 杨健电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院重庆401331 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 
设计了一种无运放带隙基准电路,该电路采用电压自调节技术来稳定输出基准电压,并实现该带隙基准电路在较宽频率范围内的高PSRR。该基准采用无运放结构,在降低电路复杂性的同时,避免了运算放大器的失调电压对输出基准的温度系数的影响。...
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