摘要：针对功率VDMOS真空下壳温显著升高的问题,对安装叉指形散热器的功率VDMOS进行了三维建模和温度场模拟分析,研究了其在大气与真空环境下的散热模型。真空环境下功率为10 W、散热片面积为278.42 cm2时,VDMOS壳温较大气下升高了89.8℃。找出了VDMOS大气及真空下壳温与工作功率及散热器表面积之间存在的关系,并进行了相应实验,利用公式计算出的器件壳温与实验壳温的最大差值,大气下不超过2℃、真空下不超过3℃,皆未超过5%,该公式可以作为功率VDMOS应用及热设计的参考依据。分析了真空环境下,功率VDMOS壳温显著升高的原因,并提出了改善措施。

摘要：通过电学温敏参数法测得多发光区大功率激光器瞬态加热响应曲线,利用结构函数法给出了多发光区激光器热阻构成,分析了多发光区激光器热特性。通过串并联热阻网络模型刻画了单发光区、两发光区、四发光区激光器的热阻构成,给出了激光器芯片热阻与发光区个数之间的定量关系。实验结果表明,不同发光区激光器的芯片级热阻随着发光区数量的增加成比例减小,而封装级热阻不变,这对激光器热设计提供了重要的参考准则。

摘要：针对传统用Synopsys公司IC Compiler工具自动生成供电带的设计方法会对布线资源产生一定程度的浪费,而影响物理设计布线质量的情况,提出了一种基于布线轨道的供电带设计优化方法。该方法在保证电压降的基础上,充分利用布线轨道,将供电带设计简化为两个参数的选取,同时推导出这两个参数与供电带占用布线轨道比例的关系公式,为后续设计流程留出足够的布线资源,提高芯片整体布线质量。将该方法用在一款采用TSMC 0.152μm Logic 1P5M CMOS工艺的电力载波通信芯片物理设计中,芯片数字规模约80万门。结果表明,在电压降保持稳定的情况下,释放了总共约300条布线轨道,为成功完成物理设计奠定了基础。

摘要：AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件在实际应用过程中经常受到由于振动、热胀冷缩等原因引起的动态应力。为了研究动态应力对器件性能带来的影响,利用自主设计的应力机械装置对AlGaN/GaN HEMT芯片持续施加峰值大小为150 MPa,频率为3 Hz的交变应力。施加应力过程中,每隔一定的应力周期对器件进行电学特性测量,得到了不同应力周期下的输出特性曲线和转移特性曲线。研究分析了随着应力周期的增加输出电流和跨导的变化,研究结果表明,器件的输出电流和跨导随着施加动态应力周期的增加而减小。随着动态应力的加载,器件将产生缺陷,是器件发生退化的原因。

摘要：介绍了基于AMBA APB总线Nand Flash控制器的设计,首先简单介绍了Nand Flash的一些特点,然后详细介绍了Nand Flash控制器的整体框架、具体功能及其内部的数据通路。该控制器通过ModelSim进行了仿真及FPGA板级验证,结果证明能够满足Nand Flash时序要求。

摘要：简单介绍了单层增透膜的基本工作原理,并理论计算了增透膜为SiO2和Si3N4时InP/InGaAsPIN探测器的透射率。计算结果表明Si3N4的增透效果要优于SiO2,通过测试淀积有Si3N4增透膜的探测器的响应度,并和理论计算的透射率进行比较,研究了不同的淀积工艺对响应度的影响和探测器在不同应用时膜厚的设计方法。

摘要：毕业设计是本科教学培养最后一个且往往是学分最多的一个环节。目前毕业设计的评价往往局限于评阅人对论文的评价和答辩委员会对论文答辩进行评价这两种评价方式,在工程教育背景下,此种评价方式不能充分反映毕业生在解决复杂工程问题过程中不同阶段的表现。本文提出了分阶段、分层次的评价方法,从指导教师、评阅教师、答辩组教师的角度上给出了多元化的评价,从而清晰量化了毕业设计对毕业要求的达成的支持。

摘要：分析了影响探测器响应度的各因素，在此基础上设计了InGaAs/InP PIN探测器的外延材料结构并优化了增透膜厚度和p-InP区欧姆接触电极图形的设计，以达到提高响应度的目的。采用MOCVD技术和闭管扩散等工艺制备了器件并测量了其响应度。结果显示，器件的光谱响应范围为1000-1600nm，在1500nm激光的辐照下，5V反向偏压时器件的响应度可达0.95A/W以上。

摘要：针对电解电容在LED驱动电源失效率高的问题,设计了LED驱动电源高温开关实验。LED驱动电源主要包括EMC滤波、PFC转换、PWM控制和DC/DC变换模块,其中最薄弱的环节是DC/DC变换模块中的滤波电解电容。电解电容在长期的工作中电解液会损耗,进而导致电容量下降,滤波功能退化,出现失效现象。在实验过程中对LED驱动电源重要参数进行记录,得出变化情况。实验后解剖驱动电源,取出电解电容,对其重要参数进行考核,分析出主要退化原因,对后续的研究具有重要意义。