摘要：针对H型钢轧后冷却过程中存在翼缘强度性能不足、残余应力分布不均等质量问题,设计并建成了H型钢控制冷却试验装置,进行了控制冷却试验研究,取得了一定的研究成果,使厚规格H型钢在实施轧后控制冷却时,翼缘表面冷却速度达到20℃/s以上,翼缘与腹板交界处的冷速达30℃/s以上,为H型钢在线控制冷却装置的建设作了必要的技术准备。

摘要：针对功率器件的抗辐射加固技术,从入射粒子对半导体材料的辐射损伤机理出发,设计了一种-150 V抗辐射P沟道VDMOS器件。该器件采取的抗辐射加固措施有:在颈区的上方形成局部厚场氧化层结构;在N体区进行高剂量离子注入掺杂;在850℃低温条件下生长栅氧化层。通过仿真分析和试验进行了验证,该器件在最劣漏偏置条件下抗总剂量达到3 k Gy,抗单粒子烧毁和单粒子栅穿的LET值为99.1 Me V·cm^2/mg。该器件适用于星用抗辐射DC-DC电源系统。