摘要：提出一种应用于逐次逼近型模数转换器的混合电容切换模式。该模式包含两个幅度相同但单调性相反的开关电容阵列,无需任何额外的稳压电源和电容补偿阵列,通过差分电压自身的互相补偿,实现共模电压的稳定。利用上述技术,基于0.18μm的CMOS工艺实现一个转换速率为50 MS/s,分辨率为10-bit的SAR ADC。设计过程中采用开窗逻辑,减小了比较器输出信号到DAC控制信号的传输时间;采用包含自适应延时逻辑的比较环路,缩短了SAR ADC低位比特的转换时间。测试结果表明,所设计的SAR ADC在50MS/s的转换速率下,可以实现57.31 d B的SNDR,1.81 LSB的INL以及0.98 LSB的DNL。

摘要：为研究中心分级燃烧室的主燃级设计,设计了多个主燃级方案,并在单头部燃烧室试验件上开展试验研究。试验结果表明:燃油停留时间对燃烧效率影响最大,喷点个数和旋流数对燃烧效率也有一定的影响,级间距对燃烧效率的影响主要体现在小状态;级间距、喷点个数对NOx排放影响最大。在本次研究的试验方案中级间距变化对燃烧稳定性的表现有明显的影响。

摘要：通过提高U型通道气体压力到500k Pa以上,将实验雷诺数Re和旋转数Ro范围分别扩展到10000~70000和0~2.0,从而匹配真实发动机转子叶片的工作条件。在此基础上实验研究了高旋转数下带直肋的、方形截面的U型通道的换热特性。研究结果表明：第一通道前缘面的努塞尔数比随旋转数的增大先下降后增强,该临界旋转数为定值Roc=0.26;随着旋转数的增大,第二通道前缘面的努塞尔数比一直高于后缘面,与光滑通道中的换热规律不同;随着旋转数的增大,第二通道内外侧面努塞尔数比的差异逐渐减小,在临近出口处几乎没有差异,与光滑通道相比正好相反。

摘要：为了研究气膜-发散组合冷却结构的冷却特征,保证相同的开孔率,设计了三种不同发散孔排布形式的组合冷却结构,采用实验的方法对气动参数和几何参数对绝热冷却效率和对流换热系数的影响规律开展了研究。结果表明:绝热冷却效率和对流换热系数沿主流方向先逐渐降低,达到最低点后沿流动方向二者基本保持不变;在研究参数范围内,主流雷诺数和吹风比对绝热冷却效率的影响不大,但对组合冷却结构的对流换热系数影响较大,随着主流雷诺数和吹风比的增加,对流换热系数均呈现逐渐增大的趋势;针对三种发散孔排布形式的绝热冷却效率和对流换热系数,流向间距大的气膜发散冷却结构最高,流向间距居中的气膜发散冷却结构次之,流向间距最小的气膜发散冷却结构最低。

摘要：气膜冷却技术广泛应用于航空发动机火焰筒、涡轮叶片等热端部件的冷却。与常规圆柱形气膜孔相比,扇形气膜孔冷却效率更高。为更全面地掌握在典型大涵道比商用航空发动机燃烧室火焰筒工作环境下扇形气膜孔气膜冷却效率随几何参数和吹风比的变化规律,采用数值模拟方法研究了扇形气膜孔的流动和换热,分析并讨论了气膜孔板厚度、气膜孔出口宽度、气膜孔入口圆柱段长度、气膜孔倾斜角以及吹风比对扇形气膜孔下游流场和热侧面气膜冷却效率分布的影响。结果表明:在小吹风比条件下,几何参数的变化对冷却效率影响很小;而当吹风比较大时,冷却效率随几何参数的变化规律可能受其他几何参数的交叉影响;几何参数的变化将诱发不同的卵形涡结构,从而对气膜孔下游的冷却效率分布造成较大的影响。

摘要：提出MASH21调制器的自顶向下设计方法。在系统级,通过系数缩放对积分器的输出进行限制;在电路级,通过积分器的瞬态建模分析运放非理想因素对调制器的影响,并得到SNR和面积功耗最优的设计区域。通过一个数字音频MASH21调制器的设计对此方法进行了验证。该调制器基于TSMC18MMRF工艺实现,在1.8 V的单电压下工作,测试显示调制器的SNDR达到91 dB。

摘要：给出一种符合ISO/IEC 18000-6B协议的超低功耗的无源超高频RFID标签。为了能够给标签数字基带处理提供准确的时钟,使用了一种超低功耗、自校正的时钟产生器,产生的时钟在-50℃-120℃或者0.7-1.6 V电源电压的范围内,偏差小于4%。此自校正时钟模块的功耗在0.7 V的电源电压下仅为364 nW。一个低压输出参考电压源也集成到了该标签芯片中,该模块产生0.96 V的基准且只消耗100 nA的电流。采用门控时钟和模块复用使功耗降低至1.17μW。该设计采用0.18μm的混合信号CMOS工艺,整个面积为0.75 mm×0.75 mm。测试结果显示该标签的灵敏度达到-10 dBm。

摘要：设计了一个超高频射频识别读写器的基带接收机,该芯片既支持UHF频段的ISO18000-6B标准,也能支持ISO18000-6C标准。该数字基带接收机主要包括抽取滤波、去直流、相位恢复等基本单元,在解码部分体现了一种新的数字基带解码器。该解码器在过零检测解码方法的基础上进行了"零点"的修复,从而可以更加有效地实现解码。和相关器解调解码相比,这种方法所需硬件更少,解码的实时性更强。不包括测试管脚,该数字芯片在0.18μmCMOS工艺下的总面积为730μm×3375μm,其中解码部分占总面积的1%;整个数字芯片的功耗为32.89mW,解码部分的功耗为0.23mW。

摘要：设计了一种用于UHF RFID读写器芯片的无电感低噪声放大器。该电路具有单端输入、差分输出的功能,噪声电压在差分输出端相位相同、幅度相等,噪声相互抵消;同时,使非线性项系数为0,提高了线性度。采用TSMC 0.18μm CMOS RF工艺流片,测得在915MHz下噪声系数小于3.2 dB,1dB压缩点为-7dBm,IIP3为3 dBm,S11为-12.8 dB,面积为0.036mm2,功耗小于10mW。

摘要：设计了一种用于低功耗2.4GHz无线物联网(IOT)芯片的电源管理系统,用于极低功耗物联网,如智能家居、工业控制、农业自动化等领域。该芯片在高功率和低功率两种模式下分别采用了不同的低压差线性稳压器(LDO)电路设计,通过特殊时序保证了高低功率模式切换时输出电压稳定。仿真结果显示,采用源随器结构的低功耗LDO的静态电流仅为1μA,单比较器振荡电路的电流为1.2μA,带隙基准电路的电流为3μA,上电复位电路电流为2μA。测试结果显示芯片在休眠状态下的平均电流为7.2μA,与电路模块仿真结果相一致。该电源管理系统采用SMIC 0.18μm CMOS工艺实现,面积仅为227μm×123μm。