摘要：全面介绍了27－300℃定温区高温MOs器件的优化设计考虑及用计算机模拟技术进行优化设计的方法。研究结果表明，选取代化的设计参数可使设计的MOs器件在27－300℃宽温区工作并获得最佳高温性能。

摘要：本文讨论了 MOS 器件表面迁移率的低温特性,研究了 MOS 器件电参数的低温特性,在此基础上提出了低温 MOS 器件的设计考虑。

摘要：在对体硅 CMOS倒相器直流特性、瞬态特性的高温模型和高温特性深入研究的基础上 ,提出了高温体硅 CMOS倒相器结构参数设计的考虑 ,给出了宽温区 (2 7～ 2 5 0℃ )体硅 CMOS倒相器优化设计的结果。模拟验证表明 ,所设计的体硅 CMOS倒相器在宽温区能满足下列电学参数设计指标 :输出高电平 Vo H>4 .95 V,输出低电平 Vo L<0 .0 5 V,转换电平 V*i (2 7℃ ) =2 .5 V,V*i(2 5 0℃ ) =2 .4 V,上升时间 tr(2 7℃ ) <110 ns,tr(2 5 0℃ ) <180 ns,下降时间 tf(2 7℃ ) <110 ns,tf(2 5 0℃ ) <16 0 ns。

摘要：根据薄膜ＳＯＩＭＯＳ器件的特点和高温应用的特殊考虑，采用计算机模拟技术，得出最大耗尽层宽度ｘｄｍａｘ和衬底掺杂浓度ＮＢ及温度Ｔ的关系曲线。研究结果表明，在常温下ｘｄｍａｘ随ＮＢ的增大而减小，当ＮＢ一定时，ｘｄｍａｘ随温度的升高而减小。因此，为满足薄膜器件的硅膜厚度ｄＳｉ小于ｘｄｍａｘ的条件及高温应用的特殊要求。

摘要：本文全面介绍了高温ＭＯＳ器件物理基础、宽温区（２７～３００℃）ＭＯＳＦＥＴ和集成电路高温特性的测试结果和理论分析、高温ＭＯＳ器件设计的特殊考虑和优化设计、高温ＭＯＳ器件模拟技术及模拟和验证。

摘要：采用多晶硅桥结构作为集成传感器的敏感元件,容易制成用于测量流速、流向、温度和光强等的多功能传感器,此结构制造简单、设计灵活、兼容性强、性能优良,为解决传感器的集成化。

摘要：提出了一种新结构薄膜 SOI L IGBT——漂移区减薄的多沟道薄膜 SOI LIGBT( DRT-MC TFSOI L IGB)。主要研究了其低压截止态泄漏电流在 4 2 3～ 573K范围的温度特性。指出 ,通过合理的设计可以使该种新器件具有很低的截止态高温泄漏电流 ,很高的截止态击穿电压 ,足够大的正向导通电流和足够低的正向导通压降。还指出 ,它不仅适用于高温低压应用 ,而且适用于高温高压应用。

摘要：详细介绍了EM NMOST和AM PMOST组合的TF SOI CMOS非门下降时间的温度电学模型建立过程.分别进行了27,100,150,250,250,300 ℃的非门瞬态特性实验.实验结果表明,EM NMOST和AM PMOST组合的TF SOI CMOS非门的下降时间随温度升高稍有增加,非常适合于高温应用.如果对其进行优化设计,有利于改善其上升-下降时间温度特性的对称性,提高其最高工作频率.

摘要：提出了一种高温 SOI CMOS电路设计方法—自动体偏置多阈值电压 SOI CMOS(简称 ABB－MT－ SOI CMOS： Auto－ Bulk－ Biased Multi－ Threshold SOI CMOS)电路。文中主要讨论了 ABB－MT－ SOI CMOS电路的结构与工作原理 ,设计与布局等，给出了内部电路电压和电流的模拟结果，并简述了该电路的应用前景。