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两面顶低温超高压烧结纳米碳化硅的研究: 收藏
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引用; 《功能材料》2007年第A10期38卷 3790-3792页; 作者：谢茂林罗德礼鲜晓斌冷邦义范辉中国工程物理研究院表面物理与化学国家重点实验室四川绵阳621907; 采用两面顶低温超高压（LT-HP）技术在压力4．5GPa、温度（1250±50）℃、烧结时间20min的条件下烧结制备了纳米碳化硅（SiC）陶瓷，研究了烧结体的物相组成、化学成分、微观结构、显微硬度、纳米压痕力学性能等。结果表明，不添加...; 采用两面顶低温超高压（LT-HP）技术在压力4．5GPa、温度（1250±50）℃、烧结时间20min的条件下烧结制备了纳米碳化硅（SiC）陶瓷，研究了烧结体的物相组成、化学成分、微观结构、显微硬度、纳米压痕力学性能等。结果表明，不添加烧结助剂且在较低温度下获得的SiC烧结体的相对密度高达98．4％，其显微硬度达到HV3520；纳米压痕测试硬度高达H31．74GPa、弹性模量E313GPa；烧结体的晶粒尺寸约为89nm，结构致密，无气孔。; 来源：详细信息评论

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