摘要：提出了一种用于传输高速数据的LVDS(LowVoltageDifferentialSignaling)驱动器及接收器的设计 .基于MOS管的大信号模型计算了电路的参数 ,根据TSMC(台积电 )的 0 .2 5 μmCMOS工艺模型 ,在Candence环境下用Spectre仿真器模拟 ,调整各个MOS管的宽长比 ,确定了电路各参数 .给出了驱动器和接收器互连的仿真结果 ,仿真结果表明该LVDS驱动器和接收器能稳定工作在 1GHz的工作频率下 ,LVDS高速I/O接口电路能使计算机之间、芯片之间的数据传输带宽达到Gbit/s级 .

摘要：设计了一种用于耳机驱动的CMOS功率放大器,该放大器采用0.35μm双层多晶硅工艺实现,驱动32Ω的电阻负载.该设计采用三级放大两级密勒补偿的电路结构,通过提高增益带宽来提高音频放大器的性能.仿真结果表明,该电路的开环直流增益为70dB,相位裕度达到86.6°,单位增益带宽为100MHz.输出级采用推挽式AB类结构,能有效地提高输出电压的摆幅,从而得到电路在低电源电压下的高驱动能力.结果表明,在3.3V电源电压下,电压输出摆幅为2.7V.

摘要：对一种结构简单的互阻ＣＭＯＳ放大器的工作原理进行了分析，着重对其灵敏度、频率特性和动态范围等参数与电路结构参数之间的关系进行了模拟分析和设计研究。接收电路按０．３５／０．５μｍ规则设计，在采用０．８μｍ沟道长度的条件下，电路工作频率可达６００Ｍｂ／ｓ，允许最小输入光电流约为５μＡ，光电流噪声抑制能力可通过前两级放大器的宽长比来调节。

摘要：根据在系统可编程器件的特点，以提高器件的资源利用率、简化设计为原则，利用在系统可编程器件的开发系统设计了计程测速电路，总结了利用在系统可编程器件进行ＡＳＩＣ设计的特点和技巧。

摘要：提出了一种新型功率集成电路结构的设计方法。通过恰当的版图设计和利用垂直双扩散技术，可以在同一芯片上实现具有效强功率驱动能力的功能电路。这种结构的加工过程同ＶＤＭＯＳ完全兼容，关键技术是采用对接双重扩散形成ＮＭＯＳ结构，为实现芯片中ＮＭＯＳ结构与功率器件结构击穿性能的一致性，图形设计时，应将ＮＭＯＳ单元放置在ＶＤＭＯＳ器件的中心附近以取代部分ＶＤＭＯＳ元胞。通过电路与功率器件的内部连接而形成功率集成电路。

摘要：本文论述了具有垂直沟道、多单元结构的高电压、大电流功率MOS场效应晶体管(VDMOSFET)的设计理论及方法.并从四个方面阐述了其结构特点,提供了具体设计参数及部分二维数值分析结果.

摘要：本文从理论上分析了硅剪切压阻系数的择优取向,以及在矩形、方形和圆形弹性膜片上欲获得较大剪应力,电阻条的布局原则。利用本文提供的方法,对某些膜片上的四端应变电阻所进行的布局分析与Kanda用有限差分法计算出来的布局结果基本一致。文中还提出了膜片上一些新的布局,供设计者选用。

摘要：设计了一种可以在低电压、低电流 (5V/1.5mA)的单双电源下工作 ,并且可以驱动高电压、高电流负载(36V/2 0mA)的非稳态多谐振荡器式压频转换器 .该转换器的高输入阻抗和低失调电压漂移输入增益级可以保证芯片在微弱电压信号下正常工作 .仿真结果表明 :设计电路的线性度好 ,输出满度频带宽 ,输入信号动态范围宽 .

摘要：讨论了VDMOS功率器件的外延层结构,结终端技术,芯片背面多层金属化的优化设计理论与器件制造工艺技术;导出了BV_(DS)≥500V,I_(DS)≥IA的VDMOS外延层结构参数和终端结构模型与参数,给出了芯片背面多层金属化的工艺条件和制造VDMOS芯片的集成电路平面工艺流程.

摘要：分析了压控石英晶体振荡器 (VCXO)的原理、设计特点 ,设计了一个集成的VCXO驱动电路 ,该部分电路主要包括一个频率控制电路和一个自动增益控制电路 ,可以在芯片外部器件的共同作用下对石英晶体振荡器进行实时频率控制和振幅调整 .设计的VCXO能输出高稳定度、振幅恒定的时钟信号 .