摘要：本征柔性有机电子学是近年来涌现的一项变革性的前沿交叉学科,它赋予电子材料可印刷、可折叠和可拉伸等特性,使其应用于健康医疗、柔性显示、传感探测、人工智能和脑机接口等前沿领域.为了进一步拓展本征柔性有机电子器件的应用场景,设计开发高性能、高显示度、高稳定性的本征柔性材料和有机电子器件是当前的研究重点.本文主要介绍了近年来本征柔性有机电子学相关领域的前沿研究进展,重点讨论了本征柔性材料与有机电子器件的设计和制备策略、本征柔性材料图案化工艺和集成电路,分析了本征柔性有机电子学领域的技术瓶颈和前沿问题,总结和展望了本征柔性有机电子器件的应用前景与未来发展趋势.

摘要：具有原子级厚度的物质选择传输固态通道可广泛应用于分离于能量转换过程.决定这种通道选择性的几个关键因素有通道的密度、高度、间距以及边界结构.然而,目前这种拥有原子级精度的微小限域通道仅限于微型二维晶体条带构建的概念原型器件中.本文报道了一种通过化学气相沉积法设计制备大面积、高有序的单层石墨烯微晶阵列结构.通过一种改进的各向异性刻蚀过程,可以大面积控制石墨烯微晶阵列的尺寸、形貌、间距以及边界结构.这种阵列结构可以作为支柱支撑起平滑的单晶石墨烯薄膜,从而构筑连续的埃米级(3.4A)通道.该通道能选择性通过水分子并阻挡水合离子的通过,在离子筛分和纳米过滤方面具有应用潜力.

摘要：分子尺寸器件是推动分子电子学发展的主力军。本文综述了分子整流器的工作原理、模型分子的设计、研究现状、存在的主要问题和今后的发展方向。

摘要：近年来,有机场效应晶体管(OFETs)由于在柔性器件和可穿戴电子学中的潜在应用受到了学术界和工业界的普遍关注,尤其是以聚合物半导体材料构筑的晶体管性能得到了快速的发展.如何设计合成用于OFETs的高性能聚合物半导体材料,一直是我们的追求目标.然而,分子结构对迁移率的影响仍缺少系统的比较.本文综述了近年来国内外新型聚合物材料的最新进展.我们按照材料的种类以及载流子的传输类型进行了分类,对高性能聚合物材料的发展过程、材料的设计思路以及相应的FETs性能进行了系统地归纳总结.通过研究分子及分子聚集态结构与器件性能之间的关系,希望为以后设计合成新型的高性能的聚合物材料提供有益的借鉴和指导.

摘要：近几年来,有机场效应晶体管在材料和器件方面都取得了长足的进展,成为分子电子学的一个重要方向。本文从有机半导体材料设计、有机半导体器件的构筑、单分子电子器件和纳米管在电子器件中的应用等方面,简单综述了有机场效应晶体管和分子电子学的最新研究进展。

摘要：设计并合成了新型含噻吩基团的联苯乙烯类蓝色有机电致发光材料4,4′-双(2-苯基-2-(2-噻吩)乙烯基)-1,1′-联苯(TPVBi),通过红外、核磁共振、元素分析对其结构进行了表征。利用紫外可见吸收光谱、荧光光谱和循环伏安法等研究了其HOMO、LUMO能级及发光性能。TPVBi溶液的荧光发射峰值波长为451nm,薄膜的荧光光谱最大发射波长为464nm。循环伏安测得其氧化峰电位为1.227V。TPVBi的HOMO能级为-5.55eV,LUMO能级为-2.67eV。以TPVBi作为发光层制作了结构为ITO/CuPc(10nm)/NPB(30nm)/TPVBi(35nm)/TPBi(35nm)/Al(100nm)的有机发光二极管器件,并研究了该器件的电致发光性能。该器件在电压为19.5V时,达到最大亮度1782.3cd/m2,在电流密度为15.69mA/cm2时,最大电流效率为1.73cd/A;器件的发光CIE色坐标为x=0.25,y=0.40。

摘要：界面电子的发射￥中国科学院化学研究所＠邱文丰＠刘云圻界面电子的发射金属表面发生的化学反应在很大程度上取决于金属与表面上吸附的原子或分子间的电子的交换，因此研究表面上的电子的行为就很重要．加州伯克利大学的Ｃ．Ｂ．Ｈａｒｒｉｓ等人设计了新的实验方法，应用激光光...

摘要：具有光、电、磁物理功能的有机材料的出现促进新思想、新概念、新材料的发展 ;有机功能材料的电子状态、导电机理以及杂质的影响完全有别于无机金属和半导体 ,因此 ,在深入探索结构与功能的关系的基础上 ,有可能开展分子、聚集态以及器件设计的研究。若与有机化合物的结构多样化 ,良好的加工性、成膜和成纤性等特点相结合 ,有可能实现无机电子材料所难兼具的电子行为 ,进而实现“分子电路”的设想。这里 ,我们对有机功能材料的基本概念、种类 ,功能材料薄膜的沉积、器件的构筑 。

摘要：采用优良的电荷给体N,N-二乙基修饰配体,设计合成了两种新型可溶性席夫碱配体及其锌配合物,并对其电致发光性质进行了研究。两种配体和配合物均呈现很好的发光性能,通过增大配体的共轭结构,成功地调节了材料的发光光谱,吸收峰由397 nm红移到429 nm,发射峰相应的由543 nm红移到560 nm。以配合物ZnDEDN为掺杂客体材料,聚合物PVK为主体材料,制备了结构为ITO/PVK∶ZnDEDN/BCP/Alq3/LiF/Al的有机电致发光器件,器件的最大发光效率为0.19 cd/A,最大亮度为143 cd/m2。

摘要：场效应晶体管是通过调节栅极电压来控制源漏极之间电流大小的一种有源器件。以有机半导体材料制备的有机场效应晶体管具有许多特点,如制备工艺简单、成本低和柔韧性好,可被用作智能卡、电子商标、电子纸、存储器、传感器和有源矩阵显示器。本报告将介绍有机π-共轭分子的设计、合成,以它们为半导体材料,有机场效应晶体管的制备及电性能的研究。设计、合成了并五噻吩,进行了结构表征和薄膜性能研究,并以它为半导体材料制备了场效应晶体管。结果表明并五噻吩Eg为3.29eV,而相应的并五苯的Eg仅为1.85eV。热分解温度272℃。场效应迁移率0.045cm^2/Vs,开关比10~3。预示着并五噻吩将是新一类有机半导体材料。我们把微电子学中的掺杂技术扩展到纳米电子学中,首先制备了氮掺杂的多壁碳纳米管,然后利用聚集离子束技术制备了基于单根碳纳米管的场效应晶体管。氮掺杂的碳纳米管显示n-半导体特性,电子迁移率高达895cm^2/Vs。从低成本的铜和银的下电极结构出发,结合对二氧化硅衬底的表面修饰,通过简单的一步溶液法在电极上生成有机电荷转移复合物,从而提高了铜和银电极的表面功函数,改进了电极和有机半导体之间的接触,降低了接触电阻,改善了载流子的注入,从而实现了和金上电极结构器件相当的高性能。合成了2-芘氧一4,4,5,5-四甲基咪唑啉-1-氧自由基,并以它为半导体材料,以SiO_2为绝缘层制备了场效应晶体管。结果表明,采用该化合物制备的器件显示出良好的p-型场效应性能,场效应迁移率高达0.1cm^2/Vs,开关比为5×10~4。