摘要：文章介绍了一种新型 TTL超高速比较器 ,并对其工作原理、制作工艺、技术性能及可靠性设计等进行了简要描述。该产品具有工作电压低 ( + 3V)、功耗小 ( 6m A)、响应时间快 ( 1 0 ns)等显著特点 ,可以广泛应用于高速时序逻辑、线性接收器、数字通讯、模拟信号高速采样以及

摘要：文章简要介绍了电流反馈和电压反馈运算放大器的基本原理,从理论上分析了两种运放的频率等效模型,进而提出了提高运算放大器速度和带宽的有效途径。另外,文章还对高速运算放大器使用过程中的稳定性进行了简要分析。

摘要：双极型功率集成电路已大量应用于民用、军用电子设备中,其典型应用主要是在通信系统、雷达和电子对抗等领域。大功率电子设备的性能与可靠性很大程度上取决于双极功率器件及其放大电路的性能,因此,提高双极型功率集成电路的性能和可靠性具有十分重要的现实意义。在分析双极功率器件和集成电路工作特点的基础上,介绍了器件结构及其版图设计方法,详细分析了其特点和功能,以达到提高双极型功率集成电路性能和可靠性的目的。

摘要：介绍了几种互补双极工艺的结构和特点,详细阐述了一种基于N型外延的PN结隔离互补双极工艺;着重探讨了隔离制作技术和PNP管设计要点,并对实际流片结果进行了讨论。

摘要：提出了一种采用低阈值技术实现的高速采样保持电路。采样保持电路采用电容翻转式架构,利用栅压自举开关技术提高了采样开关的线性度,通过下极板采样技术减小了电荷注入效应。提出的放大器与传统的套筒式共源共栅极放大器在电路结构上相同。不同点在于,该放大器采用了低阈值设计技术。优势在于,在特定工艺下通过低阈值器件补偿可实现高增益带宽放大器,提高了采样保持电路的采样速率。该电路采用0.18μm CMOS工艺设计并流片,采样时钟频率达到了125 MHz。仿真结果表明,SINAD为90.91 dB,SFDR为91.45 dBc,芯片尺寸为0.8 mm×0.5 mm。

摘要：设计了一种高速低功耗的欠压锁定电路。在迟滞比较器的输出级采用轨对轨输入共源放大器电路,检测VUVLO由高电平跳变为低电平的过程,自适应地控制输出级的尾电流源大小,以减小输出建立时间,使得后级电路能够快速响应电源变化。基于华虹0.35μm BCD工艺进行设计与仿真,结果表明,在输出级的尾电流大小为1.3μA时,相比传统电路,该电路能减少30%的输出建立时间。这不仅降低了功耗,还提高了电路响应速度。

摘要：　从理论分析角度介绍了优化SiGe异质结晶体管速度的方法。结合双极晶体管的工艺限制,介绍了SiGeHBT的基本原理,讨论了SiGeHBT的发射区/基区/集电区设计。最后,以一个100GHzfmax和fT的HBT为例,对电路制作工艺参数进行了讨论。

摘要：设计了一款带正负双向使能功能的负电压输出的LDO。介绍了LDO的基本工作原理,对比了正、负输出LDO的区别,对双向使能电路结构进行了详细设计。采用Cadence对电路进行直流和瞬态仿真验证,仿真结果表明,该LDO在特定的正负两个使能区间均能完全导通,其开启关断点与电路设计吻合。在设计该双向使能结构的同时,保留了使能电路低功耗的特点。

摘要：简要介绍了一种用于接收机前端的宽带低噪声放大器(LNA)。该微波单片集成电路(MMIC)蔡用0.35μm SiGe工艺实现,且不需要外部阻抗匹配元件,并利用两级级联拓扑结构实现频带内的低噪声和高线性度。电路版图设计后的仿真结果表明,该放大器工作带宽3.78 GHz,功率增益达到27.5 dB,噪声系数(NF)≤2.26 dB,在1.5 GHz信号频率下,输出功率1 dB压缩点(P1dB)为10 dBm。

摘要：在传统无电容型LDO的基础上,设计了一种带瞬态增强的无电容型LDO。采用频率补偿方案,有效减小所需的片上补偿电容,节约了芯片面积。采用了过冲/下冲检测电路,用于检测负载瞬间变化时输出电压的变化,通过调节功率管栅极电压,提升了LDO的瞬态响应速度。采用0.13μm标准CMOS工艺,对设计的瞬态增强无电容型LDO进行仿真验证。结果表明,片上补偿电容为2pF时,系统静态电流为30μA,当负载在1μs内从1mA变化到50mA时,输出电压过冲为88mV,下冲为50mV,与不带过冲/下冲检测电路的LDO相比,分别提高了56%和54%。