摘要：采用共源共栅运算放大器作为驱动,设计了一种高电源抑制比和低温度系数的带隙基准电压源电路,并在TSMC 0.18μm CMOS工艺下,采用HSPICE进行了仿真.仿真结果表明:在-25～115℃温度范围内电路的温漂系数为9.69×10-6/℃,电源抑制比达到-100 dB,电源电压在2.5～4.5 V之间时输出电压Vref的摆动为0.2 mV,是一种有效的基准电压实现方法.

摘要：本文简要介绍了电化学精制装置用防爆直流成套电源设备的组成、工作机理和工程中的应用。该设备为国内首创,其结构和性能先进、符合工艺操作要求,工作安全可靠,可以在各炼油厂中推广应用。

摘要：提出一种采用0.35μm CMOS工艺制作的带隙基准电压源电路,该电路具有高电源抑制比和低的温度系数。整体电路使用TSMC 0.35μm CMOS工艺,采用HSpice进行仿真。仿真结果表明,在-25^+125℃温度范围内温度系数为6.45 ppm/℃,电源抑制比达到-101 dB,电源电压在2.5~4.5 V之间,输出电压Vref的摆动为0.1 mV,功耗为0.815 mW,是一种有效的基准电压实现方法。

摘要：机载面阵摆扫式成像系统需要足够高的帧间重叠率来避免因扫描过程中视轴的控制误差而导致的漏扫,这制约了成像系统在大速高比条件下的适应能力,限制了系统的成像幅宽。论文提出了一种视轴路径规划模型与重叠率计算的新方法,通过像球面投影的几何分析方法优化设计了成像系统视轴的扫描路径,并依据像球面中像面投影的方位旋转角度,建立了一种重叠率计算的新模型。经理论分析与仿真实验验证,在40°侧向凝视成像时,视轴稳定精度由2.93°提高到0.15°,相同速高比、单行5帧摆扫成像时,作业效率提高约32%。论文研究工作对推动机载摆扫成像技术向着宽视场、大速高比、高分辨率方向的进一步发展具有重要意义。

摘要：在冷模反应器内 ,考察了模拟原料油和气体流动对催化剂床层膨胀率的影响 ;在上流式微膨胀床反应器内 ,以中东渣油为原料 ,考察了温度、空速对杂质脱除率的影响。冷模试验结果表明 ,在通常的空速和氢油比范围内 ,床层膨胀率可以控制在 10 %以内 ;试验结果表明 ,在上流式微膨胀床反应器内 ,主要发生脱金属和脱硫反应 ,从而起到保护下游固定床反应器的作用。

摘要：为了解决重庆地区高强陶粒混凝土的设计与制备技术难题,该文通过分析陶粒混凝土的高强化技术途径,经过试验,提出了一种高强陶粒混凝土的设计方法和制备技术,关键工艺参数预湿时间应大于24h,搅拌时间应不小于3min;分析研究了所制备陶粒混凝土的性能,结果为:陶粒混凝土的坍落度和抗压强度满足预拌生产和泵送施工的要求,收缩和抗渗性能优于同强度等级的普通混凝土。