摘要：传统的数据库系统和图纸的管理方式已无法满足越来越复杂的网络资源的管理。利用GIS技术在空间数据与属性数据的编辑、存储与表现方面的优势,对有线电视网络资源管理系统的建设提出了全新高效的解决方案,包括系统网络体系结构、系统模块功能的设计等。

摘要：准垂直GaN肖特基势垒二极管(SBD)因其低成本和高电流传输能力而备受关注.但其主要问题在于无法很好地估计器件的反向特性,从而影响二极管的设计.本文考虑了GaN材料的缺陷以及多种漏电机制,建立了复合漏电模型,对准垂直Ga N SBD的特性进行了模拟,仿真结果与实验结果吻合.基于此所提模型设计出具有高击穿电压的阶梯型场板结构准垂直GaN SBD.根据漏电流、温度和电场在反向电压下的相关性,分析了漏电机制和器件耐压特性,设计的阶梯型场板结构准垂直GaN SBD的Baliga优值BFOM达到73.81 MW/cm^(2).

摘要：设计了一种具有PI-D结构的HVDC定电流控制器并提出了相应的控制器参数整定方法,在避免了控制器参数整定盲目性的同时提高了其控制性能。在传统PI控制器的反馈通路上增加了具有提高阻尼作用的微分环节,通过推导包含控制器参数的直流系统传递函数表达式绘制出控制参数变化时系统Bode图的变化规律,根据上述规律和系统的时域响应要求对控制器参数进行整定。通过上述方法设计了CIGRE HVDC标准模型整流侧的PI-D定电流控制器,同时设计了传统的PI和PID控制器进行比较。仿真实验表明,相对于传统PI和PID控制系统,采用PI-D控制器的直流系统具有更好的时域响应特性和抗干扰能力。

摘要：目的探讨薄型帽状瓷贴面的临床应用效果。方法收集2011年10月至2012年5月于华西口腔医院修复科就诊,要求前牙美容修复的患者20例共32颗前牙,通过改良设计包绕型瓷贴面的切端,临床观察其良好的美学和固位效果,进行薄型帽状瓷贴面修复。随访观察一年,采用美国CDA标准进行评价修复效果。结果 20例患者修复1年后贴面完整、颜色匹配,边缘适合,术后敏感及牙龈炎症的自我评价满意率与医生专业评价满意率比较差异均无统计学意义(P>0.05)。结论薄型帽状瓷贴面对前牙美学修复具有重要临床意义。

摘要：为了实现能源的高效利用,通过减小器件的导通电阻和栅漏电容来降低MOSFET的功耗一直是功率电子学的研究热点,但二者存在折衷关系.碳化硅的材料优势使碳化硅MOSFET更适合高频应用,在不过多增大导通电阻的情况下,减小栅漏电容以降低器件在高频应用中的动态功耗是本文的设计重点.提出了一种带有沟槽型源端和N型包裹区的碳化硅沟槽MOSFET结构,被称为槽源N包裹型(Trench Source With N-type,TSN)器件,通过将栅漏电容转换为栅源和漏源电容串联的形式,在维持MOSFET的导通电阻不过多增大的前提下,降低了栅漏电容.介绍了TSN碳化硅沟槽MOSFET器件结构和制备工艺流程,通过TCAD仿真对栅沟槽深度、N型包裹区的掺杂浓度和宽度、P+型埋层的垂直注入和横向注入深度、源极槽深度进行了优化设计.仿真结果表明,器件的击穿电压达到1420 V,特征导通电阻为3.1mΩ·cm^(2),特征栅漏电容为12.4pF·cm^(-2)。在与常规UMOS结构近似相等的击穿电压下,虽然特征导通电阻略有增大,但特征栅漏电容明显降低,这两项参数的乘积降低了78.9%.