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基于瞬时功耗检测的SiC MOSFET短路保护策略
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《固体电子学研究与进展》2022年 第4期42卷 263-268,280页
作者：刘平 刘叶春 苗轶如江苏省输配电装备技术重点实验室江苏常州213022 湖南大学电气与信息工程学院长沙410082 
针对SiC MOSFET对短路电流的耐受能力较弱的问题,设计了一种短路检测策略以提高其运行可靠性。基于SiC MOSFET在正常运行及短路故障状态下的瞬时功耗差异可形成短路判据,设计了瞬时功耗检测的SiC MOSFET短路检测方案和电路。仿真测试了...
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