摘要：An SOI MOSFET with FINFET structure is simulated using a 3 D simulator. I V characteristics and sub threshold characteristics,as well as the short channel effect(SCE) are carefully *** can be well controlled by reducing fin *** performance can be achieved with thin height,so fin height is considered as a key parameter in device *** results show that FINFETs present performance superior to conventional single gate devices.

摘要：利用从量子波尔兹曼方程简化得到的双量子修正和计入载流子动量的全流体动力学模型，编制了流体动力学半导体器件模拟程序，并对栅长25nm的体硅MOSFET和栅长30nm的FinFET结构进行了模拟。模拟结果表明，改进后的流体动力学模型在工程应用中能够适应模拟纳米级MOSFET的要求，用于纳米级MOSFET的特性研究和优化设计。

摘要：对南四湖湖区及其主要人湖河流表层沉积物中金属元素质量分数进行了测试分析．结果表明，14种金属元素可分为3类组合：Ca和Sr为第1组元素；Al，Fe，Na，K，Mg，Ni，V和Ti为第Ⅱ组元素；第Ⅲ组元素包括Zn，Cr，Cu和Pb．其中，第1组元素在独山湖区及微山湖区质量分数较高，与第Ⅱ组元素变化趋势相反，这2组元素主要为流域自然来源；第Ⅲ组元素在老运河、白马河上游、洗府河下游及人湖口沉积物中质量分数较高，可能受到人为污染的影响．此外，其他表层沉积物中第Ⅱ组元素与第Ⅲ组元素质量分数具有相似的变化规律．选取流域非耕作土壤样品作为背景，采用参比元素校正及沉积物富集系数法，对Zn，Cr，Cu和Pb等重金属元素的人为污染特征进行了定量评价．结果显示：老运河沉积物中Cr和Pb的富集系数为3．7和3．9，具有中等程度的人为污染特征．Cu和Zn的富集系数达到16．6和22．0，具备重或严重的人为污染特征．Zn和Cu在洗府河下游及入湖口、白马河上游沉积物中的富集系数为2．0～7．1，具有中等或较重的人为污染特征．其余表层沉积物中Zn，Cr，Cu和Pb的富集系数均低于2．0，基本未受到人为污染的影响．