摘要：本文从设计、原料和操作等方面,总结了略钢2号高炉(150m^3)第三代炉役实现连续生产8年(未中修)的长寿经验.

摘要：某深大基坑因施工场地地质条件较差,基坑变形控制严格,为了确保工程安全,该基坑设计采用了较成熟的二维有限元法分析和模拟,并详细说明了其具体实现方法。但由于二维有限元法局限性,深大基坑在设计和施工中仍有很多问题必须注意。

摘要：刑事和解(V ictim-O ffender Reconc iliation)是一种解决刑事纠纷的新的制度设计,也称为被害人与加害人的和解、被害人与加害人会议、当事人调停或者恢复正义会商。当前,检察机关进行刑事和解和有必要,能全面履行检察职责,兼顾国家公诉权与被害人诉权;、更为合理地兼顾正义与效率价值。当然,对刑事和解的范围应合理界定,既不能过大,也不能太窄。在刑事和解中,检察机关应处于监督者地位。

摘要：为改善InP籽晶表面洁净度,保证InP材料生长时的电学参数并减小引晶阶段孪晶形成概率,设计了InP籽晶表面处理装置。该装置采用动态方式对籽晶表面进行处理,采用原子力显微镜扫描处理后籽晶的表面形貌,结果显示籽晶表面无杂质和沾污。通过在晶体引晶部位的不同位置取样进行霍尔测试。测试结果显示,用常规静态方式和动态方式处理的籽晶,其生长出晶体引晶部分的样品的平均迁移率分别约为4 100 cm^(2)/(V·s)和4 600 cm^(2)/(V·s),平均载流子浓度分别约为7×10^(15) cm^(-3)和4×1015 cm^(-3)。通过该装置及工艺处理的籽晶,表面被处理得彻底、无沾污,容易生长出电学参数优异的晶体。

摘要：洙赵新河第二期治理工程,在建设各方的共同努力下,克服多种不利因素,按规定的工期完工.对于工程主体的顺利完工,总的体会是:各级人民政府大力支持和协调确保了工程建设有一个良好的施工环境,项目法人、设计单位、监理单位、施工单位及质量监督部门充分发挥各自作用,承担各自责任,又通力合作,保证了工程的进度与质量.

摘要：通过改进InP晶锭加工流程的设计,明显提高了直径不均匀或者含有多晶或孪晶晶锭的出片量。与传统半导体材料晶锭加工流程相比,采用本加工技术加工晶锭的最终出片面积至少能够提高20%,在某些情况下能达到50%以上。为了验证该加工流程对晶片参数的影响,研究了InP晶锭表面起伏对晶片厚度一致性、翘曲度、弯曲度等几何参数的影响。实验结果表明,在切割参数相同的情况下,采用本加工技术获得的晶片厚度一致性较差,造成参数恶化的原因是晶锭表面起伏使钢线在接触晶锭表面时可能出现位移。通过在晶锭表面粘接特殊的板补偿晶体表面起伏,改善了晶片厚度一致性。本方法可以在保证生产质量合格的成品晶片的同时,大幅度提高晶锭最终出片面积。

摘要：制备大直径单晶是降低器件成本的重要手段之一。对于制备大尺寸半绝缘InP单晶而言,由于其需要在高温高压环境下生长,随着热场尺寸的增大,炉体中气氛以及熔体中的对流增大,因而易产生孪晶和多晶。采用液封直拉(LEC)技术,通过多温区热场优化设计,调节各段加热器功率,降低了大尺寸热场温度梯度,提高了热场的对称性和稳定性,获得了平坦的固液界面,同时采用平缓放肩工艺抑制孪晶的形成。重复生长出约9.5 kg的6英寸(1英寸=2.54 cm)InP单晶,直径6英寸以上的单晶部分长度大于67 mm。测试结果表明,单晶片位错密度小于1×104 cm-2,电阻率大于107Ω·cm。从晶体生长和测试结果可以看出,合适的温度梯度可以使固液界面比较平坦,有效降低InP晶体的位错密度,电阻率片内均匀性为8.7%。

摘要：采用金属有机化合物汽相淀积技术生长用于高亮度发光管 (UB-L ED)的 Al Ga In P/Ga As半导体微结构材料 ,突破了材料结构设计和材料生长工艺的关键技术 ,生长出满足于 Cd级的红、橙、黄光 L ED器件的外延材料。