文献检索-宁波市创意产业特色资源库

限定检索结果

阵列基板铜工艺不良研究: 收藏
分享
引用; 《液晶与显示》2021年第4期36卷 560-565页; 作者：吴祖谋白金超丁向前刘明悬李小龙王勋刘海鹏宋勇志陈维涛北京京东方显示技术有限公司北京100176China; 本文结合产品开发过程中遇到的铜相关不良现象进行研究,提出了有效的改善措施。结果表明,在第一次氮化硅刻蚀中的后灰化工序有高含量的氧气,会使过孔内部铜发生氧化而发黑。使用氢等离子体处理,可以将氧化铜还原成铜,在生产线光学设备...; 本文结合产品开发过程中遇到的铜相关不良现象进行研究,提出了有效的改善措施。结果表明,在第一次氮化硅刻蚀中的后灰化工序有高含量的氧气,会使过孔内部铜发生氧化而发黑。使用氢等离子体处理,可以将氧化铜还原成铜,在生产线光学设备测量时过孔反射出金属白色。在氧化铟锡刻蚀过程中,高温退火会造成裸露的铜发生严重氧化,需要去掉退火步骤或者更改设计来规避。在第二次氮化硅刻蚀步骤中,高含量的氧会氧化过孔处的铜,造成过孔连接异常,降低刻蚀步骤中氧气含量可以解决该不良。; 来源：详细信息评论

限定检索结果