摘要：设计了一种应用于4H-SiC BJT的新型结终端结构。该新型结终端结构通过对基区外围进行刻蚀形成单层刻蚀型外延终端,辅助耐压的p+环位于刻蚀型外延终端的表面,采用离子注入的方式,与基极接触的p+区同时形成。借助半导体数值分析软件SILVACO,对基区外围的刻蚀厚度和p+环的间距进行了优化。仿真分析结果表明,当刻蚀厚度为0.8μm,环间距分别为8,10和9μm时,能获得最高击穿电压。新结构与传统保护环(GR)和传统结终端外延(JTE)相比,BVCEO分别提高了34%和15%。利用该新型终端结构,得到共发射极电流增益β>47、共发射极击穿电压BVCEO为1 570V的4H-SiC BJT器件。

摘要：设计了一种应用于反激式AC-DC变换器的控制芯片。为了提高AC-DC变换器的工作稳定性,降低成本,实现全负载范围较高的转换效率,采用PSM流限控制模式。PSM流限控制模式结构简单,可有效降低系统成本。系统根据负载情况分段调节流限值,实现各负载点较高的转换效率,减小输出电压纹波,避免轻载时开关频率进入音频范围。芯片主要采用数字控制,具有高稳定性和低功耗,内置700 V耐压功率MOSFET。整个系统采用3μm 700 V BCD工艺实现。