摘要：用射频磁控溅射法在Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ（１００）结构衬底上沉积了高度Ｃ轴取向Ｌａ改性的ＰｂＴｉＯ３（ＰＬＴ１５）薄膜．研究了ＰＬＴ１５薄膜的电晕极化方法，用此方法同时对多个热释电敏感单元进行了极化．利用ＰＬＴ１５薄膜制备了热释电红外传感器，薄膜厚度是２μｍ，真空蒸发的Ｎｉ－Ｃｒ电极面积为１．２ｍｍ×１．０ｍｍ，敏感元下的Ｓｉ（１００）基片用热ＫＯＨ和ＥＰＷ进行刻蚀．用所设计的热释电系数测试系统对ＰＬＴ１５薄膜样品进行了测试，研究了其热释电特性．测试结果表明，ＰＬＴ１５薄膜样品的热释电电流ｉｐ平均为２．１×１０－１１Ａ，而对应的热释电系数ｐ为２．５２×１０－８Ｃ·（ｃｍ２·Ｋ）－１．

摘要：对铁电薄膜所具有的铁电、热释电特性进行了研究，在此基础上设计出了热释电系数测试系统。ｐＡ级电流放大器是测试系统的设计重点，而其输入阻抗、运算精度及噪声抑制又是设计关键。简要介绍了测试系统的设计思路、组成及工作原理。用所设计的测试系统对ＰＬＴ薄膜样品进行了测试，测试结果表明，溶胶－凝胶工艺制备的ＰＬＴ薄膜样品的热释电电流平均值为２．１×１０－１１Ａ而对应的热释电系数ｐ为２．５２×１０－８Ｃ／ｃｍ２°Ｃ。

摘要：对铁电薄膜的开关特性进行了分析．介绍了利用美国ＨＰ４１９２Ａ低频阻抗分析仪设计铁电薄膜开关特性测量仪的方法．讨论了测量原理以及如何利用测量仪所产生的双极性双脉冲对铁电薄膜的开关特性进行测量。

摘要：对8×8元阵列锆钛酸铅(PZT)厚膜声纳换能器芯片进行了设计,对PZT铁电厚膜的微图形的刻蚀工艺及其反应机理进行了深入的研究。最后成功地刻蚀出8×8元声纳换能器图形,为进一步研制PZT厚膜声纳换能器打下了良好的基础。

摘要：本文介绍了铁电薄膜材料热释电系数的测量原理和电路,着重设计了pA级前置放大电路,并对PLT铁电薄膜样品进行了测试。

摘要：MEMS的高能量密度驱动和IC高度集成使MEMS器件产生较强的热效应,影响了MEMS器件的稳定性和寿命。传统的致冷器与待致冷器件是相对独立的器件,无法满足MEMS器件局部有效致冷和系统集成的要求。介绍了一种新型铁电薄/厚膜MEMS微致冷器的原理和设计,探讨其作为MEMS致冷器的可行性,该致冷器可以在较大工作温度范围内,对基于IC硅工艺的MEMS器件和普通IC芯片进行致冷。

摘要：介绍了铁电薄膜材料热释电系数的测量原理和电路 ,着重设计了PA级前置放大电路 ,并对PLT铁电薄膜样品进行了测试。

摘要：如何培养具有创新性的高素质人才，是当前研究生教育的核心问题.中南大学病理生理学教研室，通过研究生带教探索性实验课、做设计课题、作文献报告及课题汇报、严格训练论文写作等培养他们发现问题，开拓创新的能力；采取技术培训及逐级集体辅导。使他们较快地掌握了实验技能，全面提高了研究生的综合素质。

摘要：用溶胶－凝胶方法制备出了ＰｂＴｉＯ３（ＰＴ）铁电薄膜电容器，设计了相应的非易失存储单元。介绍了ＰＴ溶胶的络合、水解成胶反应，铁电薄膜电容器的制备工艺，存储单元电路设计及工作原理。