摘要：设计了空穴传输材料聚乙烯基咔唑(PVK)与绿光无镉磷化铟(InP)量子点共混体系,改善了量子点团聚效应,减少了量子点之间相互作用产生的非辐射Förster能量转移(FRET),提高了共混无镉量子点薄膜的光致发光效率(PLQY),从24.2%提升至30.1%。同时,PVK的掺入提高了共混发光薄膜的空穴传输性能,改善了量子点电致发光器件的载流子平衡,使器件的最大外量子效率(EQE)达到5.94%,较未掺杂器件提高了32%。该聚合物掺杂方法可为研制高性能绿光InP量子点发光二极管提供参考。

摘要：共掺Rb^(+)、Zn^(2+)得到了(Cs_(0.8)Rb_(0.2))(Pb_(0.93)Zn_(0.07))(Br_(1.8)Cl_(1.2))蓝光钙钛矿量子点。相比未掺杂的CsPb(Br_(1.8)Cl_(1.2))量子点,Rb^(+)、Zn^(2+)与卤素离子(Br^(-)、Cl^(-))形成更加稳定的钙钛矿八面体晶型,抑制了Cl^(-)空位缺陷的形成,提高了量子点的稳定性。掺杂后的量子点溶液光致发光效率从未掺杂的5%显著提高到52%,同时辐射复合也得到了显著增强。Rb^(+)、Zn^(2+)共掺使量子点的HOMO能级上移0.31 eV,降低了从空穴传输层(HTL)到发光层(EML)的注入势垒,有利于空穴注入。基于Rb^(+)、Zn^(2+)共掺的蓝光钙钛矿量子点,设计了结构为ITO/PEDOT∶PSS/TFB/Pe⁃QDs/TPBi/LiF/Al的发光二极管器件,得到发光峰位于470 nm、半峰宽为19 nm的蓝光发射,最大外量子效率(EQE_(max))达到3.55%。