摘要：运用《系统论》的思想，提出数字系统功能和复杂数字系统整体功能的概念，由此引伸出功能测试的新方法．这种方法可归结为通过复杂数字系统的分析，包括拓扑分析和逻辑分析，建立整体功能模型，据此找出验证测试所需的系统输入向量序列．这些工作可采用计算机辅助手段，特别是运用《算法图论》和逻辑综合工具而完成的．用所提出的方法可以在复杂数字系统各种不同抽象级的逻辑图中提取整体功能模型，因此具有广泛的适用性．

摘要：VHDL是一种具备形式化、层次化和规范化的硬件描述语言。它能针对设计实体的多方面特性给出其不同层次上的表达方式：结构描述、数据流描述和行为描述。本文介绍VHDL的表达特点及其综合过程。

摘要：对适用于DC～30GHz频率的并联接触式RF MEMS开关的设计与制造进行了研究。利用低应力电镀Au桥膜作为上电极,实现了接触电极之间的Au-Au接触。使用BorofloatTM玻璃作为衬底,并用隔离电阻对内置射频信号与驱动电极旁路进行隔离;通过对上电极桥膜与CPW间距的优化设计,使开关具有较低的插入损耗。所设计制造的并联接触式RF MEMS开关的下拉电压为60V,上下电极的接触电阻为0.1Ω。插入损耗为-0.03dB@1GH,-0.13dB@10GHz和-0.19dB@20GHz,在DC～30GHz的插入损耗都-23dB。测试结果表明,所设计的并联接触式RF MEMS开关适用频率为DC～30GHz,是一种应用频率范围较宽的RF MEMS开关。

摘要：本文系统分析了影响平面螺旋电感Q值的主要因素 ,并制作出一种应用于射频通信的硅微机械悬浮结构电感 .在考虑趋肤效应、涡流损耗等高频电磁场效应对电感Q值的影响后 ,获得了微机械电感的简化电学模型 ,得到了具有较高Q值电感的优化结构 .在制作硅微机械电感的工艺过程中 ,采用多孔硅作为牺牲层材料 ,将螺旋结构铝线圈制作在二氧化硅薄膜上 ,在使用添加了硅粉和过硫酸铵的TMAH溶液释放牺牲层之后 ,得到设计值为 4nH的悬浮结构微机械平面螺旋电感 .实验结果证明 ,整个工艺流程可靠 ,并与CMOS工艺兼容 .

摘要：设计并实现了基于高阻硅RF MEMS(射频微机电系统)共面波导传输线(CWP), 并测量和分析了不同偏压下的特征阻抗值。利用部分电容法和保角变换法得到的分析公式确定了特征阻抗为50Ω的共面波导的几何结构尺寸,采用MEMS准平面加工工艺在高阻硅衬底上实现了2.5μm厚的金共面波导结构。在施加不同直流偏压的情况下对所设计的共面波导进行了S参数测量。计算了Winkel多项式中所有系数的具体表达式,运用该多项式获得了共面波导的特征阻抗,并与传统的特征阻抗提取方法进行了结果比较。实验数据表明,在中心信号线上施加的直流偏压对S参数的影响很小,而对共面波导特征阻抗的影响较为明显,当施加的直流偏压从0 V变为38 V时,特征阻抗的实部会增加,变化幅度小于1.2Ω,虚部会减小,变化幅度小于0.8Ω。

摘要：介绍了一种利用MEMS工艺实现的用于射频领域的无源LC低通滤波器的设计、仿真和制作.该低通滤波器(LPF)采用三阶Chebyshev最少电容原型结构,设计参数为:一3dB带宽为3GHz,插入损耗小于2dB.基于MEMS无源元件(电容和电感)的集总物理模型,实现了对LPF实际性能的等效电路仿真,同时进行了版图和结构的验证.利用MEMS工艺实现的低通滤波器,其一3dB带宽和通带内插入损耗分别为2.925GHz和1.2dB(在1GHz下),制作工艺与标准CMOS工艺兼容.

摘要：给出了改进的电容式开关等效电路模型以及基于该电路模型的一种新型的多频段工作的电容式RFMEMS开关的设计和制作研究。分析表明，当开关的上电极为多支撑梁结构时，需要对传统的开关等效电路加以改进。利用新型等效电路模型进行模拟发现，通过适当的参数选择，可以获得多谐振点开关。不仅可以在多个频段适用，并且可以适用于较低频段。设计了一种可工作在X波段下的三谐振点电容式RFMEMS开关，并在高阻硅衬底上采用表面微加工工艺制备了开关样品。三谐振点开关的在片测试结果为：驱动电压为7V，“开”态的插入损耗为0．69dB@10．4GHz，“关”态的隔离度为30．8dB@10．4GHz，其微波性能在0～13．5GHz频段下优于类似结构的传统单谐振点开关。

摘要：本文以内蒙多伦温带草原为对象,研究氮素输入、降水增加对土壤中Mn、Cr、V、Pb、Ni、Cu、Co和Cd等8种金属元素总量浓度及其3种形态浓度(可交换态、碳酸盐结合态、有机结合态)的影响。结果表明:9年的氮素输入和降水增加对土壤金属总量浓度无统计学上的显著性影响,但引起Mn、Pb、Ni、Co、Cd的可交换态浓度和Cr的有机结合态浓度的显著下降(P<0.10)。总体来说,大气氮沉降增加和降水增加对于温带草原土壤金属元素的库存与形态影响有限,在9年时间尺度上并不会造成相关土壤环境质量的巨大变动,但需要注意金属元素可交换态浓度的变化。

摘要：设计并制作了一种X波段的电容式RFMEMS开关。该开关在共面波导上的悬空金属膜桥的支撑梁呈螺旋结构,其等效电感值高达134pH,有效降低了”关”态的谐振频率。结合开关的等效电路模型,使用AgilentADS软件以及理论公式计算对该开关进行了设计和优化。与传统桥膜电容式开关相比,所介绍的开关”关”态隔离性能得到了很大提高。利用表面微机械工艺,在高阻硅衬底上制备了开关样品。X波段MEMS开关的在片测试结果表明:驱动电压为9V,“开”态的插入损耗约0.69dB@11.6GHz;“关”态的隔离度约27.7dB@11.6GHz。

摘要：针对粗糙介质表面造成射频微机械(RF M EM S)开关隔离度衰减的问题,设计了一个双桥电容式RF M EM S开关,分别采用金属A u和A l作为开关的下电极,以S iN作为电容介质制备了样品。微波特性测量表明两种材料开关的隔离度有很大区别。利用原子力显微镜对金属A u和A l上制作的S iN介质层表面进行了测试,表面粗糙度R a值分别为13.050 nm和66.680 nm,分析得到相应的关态电容减少因子分别为0.52和0.15。为获得较好的开关隔离度,介质表面粗糙度须控制在5 nm以下。