摘要：构建异质结构是提高光催化材料量子效率的有效策略,而二维材料最重要的特征是平面内极高的载流子迁移率,将上述二者优势结合是设计高效光催化材料体系的热点。二维过渡金属硫化物MoS_2和WS_2较小的晶格失配和完全相同的晶体结构,使得它们在结合形成不同异质结构时具有极小的界面弛豫和界面结合能。当二者结合形成平面内无缝异质结构时,几乎保留了各自单分子层时的电子结构特征,而界面处能带的相对移动和界面内建电场的产生将有利于光生电子-空穴对的异向转移,从而能够提高光催化的量子效率。当二者以垂直堆垛方式形成双层异质结构时,由于层间较弱的范德瓦尔斯相互作用保证了二维晶体面内的稳定性,使得对应的异质结构呈现出类似体相时的电子结构。构建垂直堆垛的范德瓦尔斯异质结构虽然不能利用二维材料平面内极高的载流子迁移率,但是这种方式结合形成的异质结构能带有明显的下移,这将有利于氧化还原电势的明显增强。计算结果能够加深对以二维材料为基础构建高效、具有异质结构的光催化材料的理解,并对进一步开发高效光催化材料和器件提供有价值的参考。

摘要：采用有限元仿真计算与紫外成像观测相结合的方法,分析了高海拔官亭750 kV变电站设备连接金具产生明显电晕的位置和起晕原因,主要是螺栓和防晕板的棱角过大、自身防晕能力差以及均压屏蔽环的结构尺寸设置不满足要求,造成局部电场过高。为消除电晕造成的损耗和电磁干扰,掌握高海拔超高压变电站连接金具起晕电场值,对海拔更高的日月山750kV变电站进行了防电晕金具优化设计。通过设置防晕型接线板和连接线夹,优化均压屏蔽环数量和尺寸等措施,有效降低了防电晕金具沿面场强。对优化后的金具进行仿真计算和测试,得到在青海高海拔地区,防晕金具表面场强小于1.5MV/m时,无电晕放电发生。