摘要：为了提高内嵌可控硅(SCR)的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS-SCR)器件应用于高压时的ESD防护性能,基于0.35μm BCD工艺,在典型LDMOS-SCR(Dut1)基础上,制备了两种实验器件,即阳极环N+区的LDMOS-SCR(Dut2)和在阳极端引入漂移层的LDMOS-SCR(Dut3)。在ESD应力作用下,器件开启后的3DTCAD仿真结果表明,相比于Dut1,Dut2和Dut3的电流密度更小,Dut2和Dut3的导通电阻更大。传输线脉冲的测试结果表明,器件的维持电压分别从2.74V增至8.41V和16.20V,Dut2、Dut3的品质因数较Dut1分别增大了1.96倍、3.52倍。该3DTCAD仿真及版图改进方法可为高压IC的ESD防护设计提供有益参考。

摘要：为探讨片上集成电路静电放电防护的易闩锁与漏电软失效问题,设计了一种内嵌MOS结构的N跨桥可控硅器件.传输线脉冲测试结果表明:与传统N跨桥改进型可控硅相比,该器件的电压回滞幅度减小了约28.6%.然而,当作用于该器件的瞬态电流从2.0A增大到3.2A时,漏电流从2.8×10^(-7) A逐渐退化至1.7×10^(-5) A,器件较易发生软失效.借助TCAD技术,仿真结果表明:在10-4 A的静电脉冲应力作用下,该器件内部晶格温度高达1 160.5K.通过优化内嵌MOS结构的N跨桥可控硅器件的版图及其金属布线,削弱器件内部的功率密度聚集效应,可使器件在相同电应力下漏电流稳定在10^(-9) A量级.因此,该版图优化方法可有效地抑制器件的局部过热,提高片上集成电路的静电放电防护方案的热稳定性.

摘要：每年的毕业季总是免不了遗憾,但疫情之下的毕业季,遗憾则显得格外多。对于各个高校服装设计专业的毕业生最大的遗憾莫过于心心念念多年的毕业设计得不到充分的展示。目前针对疫情的影响,国家也陆续为大学毕业生完成最后的毕业和就业清扫障碍,同时也相应推出了一系列的政策号召。为了响应国家号召尽最大努力弥补毕业生的遗憾,本刊推出纸上毕业季——集优秀毕业论文以及毕业设计效果图特刊,使各位优秀的毕业生们可以在专业学术期刊上充分展示自己的才华,让疫情笼罩下的毕业季变得更有意义,同时也能让设计行业的专家们看到大家的潜力,为毕业生们搭建一个特殊时期与众不同的“纸上”T台!人生虽短,岁月留痕,珍惜当下,不留遗憾,我们一起努力为毕业生们难忘的校园生活画上圆满的句点,也为挖掘时尚界优秀的设计新星保驾护航,不负初心,不负韶华!