摘要：设计了一款无片外电容低压差线性稳压器(LDO),与传统的LDO相比,此LDO消除了传统结构中所需的片外电容,可更好地应用于全集成低功耗的片上系统(SoC)中。针对无片外电容LDO没有外部等效零点补偿这一特点,采用一种折叠输入推挽输出误差放大器结构,结合密勒补偿以及一阶RC串联零点补偿两种方案,有效地改善了无片外电容LDO的稳定性。电路采用SMIC0.18μm CMOS工艺实现,面积为0.11 mm2,最大负载电容100 pF,输入电压为1.8 V时,输出电压为1.5 V,静态电流31.8μA,压差为160 mV。

摘要：提出了一种高电源纹波抑制比的低压差线性稳压器.该低压差线性稳压器通过提高带隙基准的电源抑制比以达到提高LDO(低压差线性稳压器)低频电源纹波抑制的能力.在TSMC 0.18μm CMOS工艺下进行了仿真验证,仿真结果表明,该LDO最大负载电流可以达到80mA,当负载电流在0~80mA范围内变化时,开环相位裕度均大于64°,证明了低压差线性稳压器的高稳定性.当负载电流从0mA跳变到80mA时,系统的输出电压过冲仅为15mV,环路响应时间仅为0.5μs.当负载电流为80mA,测得10kHz时的电源纹波抑制比为-60.82dB,100kHz时LDO的电源纹波抑制比为-57.66dB.

摘要：应用TSMC 0.18μm CMOS工艺设计了一款低调谐增益变化,恒定调谐曲线间隔,恒定输出摆幅的低功耗低噪声宽带压控振荡器(Voltage Controlled Oscillator,VCO).本振荡器的振荡频率覆盖1.153~1.911GHz(49.5%)范围,相邻调谐曲线的覆盖范围大于50%,调谐增益变化范围为45.5~52.7MHz/V(13.7%),相邻调谐曲线间距变化范围为43.2~45.9MHz(5.9%),VCO输出波形的峰峰值为694~715mV(3%),调谐曲线的线性范围为0.2~1.6V(1.4V).在1.8V的电源电压下,VCO在中心频率1.53GHz处耗电电流为3.2mA,相位噪声在1MHz频偏处为-130.5dBc/Hz,FOM值为-186.5dBc/Hz.

摘要：在泛在业务环境中,设备呈现海量、异构、移动的特点,对于设备能力的利用如何从传统的垂直型应用解决方案向水平型协作的方式进行转变,实现应用层的设备能力汇聚与开放就成为了产业发展的关键因素.新提出的系统架构将设备能力抽象为统一的Web资源,模块化的设计方法使架构具有可扩展、低耦合的特点.相比传统方法须针对每类应用每类场景专门进行优化和设计,将设备能力抽象为统一的接口能够较好地实现设备能力在应用层的复用和组合.该系统架构的可行性和有效性通过一个在具体硬件环境上实施的实例进行了验证.

摘要：随着IPv6网络的不断发展和建设,势必会面临现有B/S这一主流架构下的应用系统从IPv4迁移到IPv6下的改造部署问题。本文从应用层角度出发,提出一套科学的迁移方案。首先,提出在IPv4迁移到IPv6过程中的两个核心点,即运行环境搭建和Socket编程改造,并基于它们探讨B/S架构下应用系统改造所需要的关键技术;然后,根据应用系统相关的网络特性,对应用系统迁移流程方案进行设计;最后,通过测试改造用例验证,表明该方案具有一定的可行性。