摘要：针对实际检测过程中本地检测器至融合中心传输信道的非理想性,提出了基于两种非理想信道模型的分布式检测算法:第一种为融合中心已知非理想信道的瞬时状态信息;第二种为融合中心已知非理想信道的统计特性。通过最小化平均贝叶斯风险来设计本地检测器和融合中心的优化判决算法,其判决形式都可简化为似然比判决。最后通过仿真表明第二种模型的检测性能略低于第一种模型,但其计算量却大大降低。

摘要：介绍了一种VHF功率放大器模块的小型化设计方法。为了解决设计中实现电性能指标所需电路多与功放模块体积小和功放模块的功率耗散大与模块盒体有效散热面积小这两个主要矛盾,采用了独特的腔体结构、简单的电源调制技术和传输线变压器宽带匹配技术。研制出的模块工作频率为220～270MHz,增益50dB,输出脉冲功率170W,工作脉宽1ms,占空比11%,体积为50mm×40mm×16mm。该功率放大模块的研制成功为系统的小型化创造了一定条件。

摘要：本文报导了近年来发展较为突出的功率场效应器件VDMOSFET的辐射效应以及国内外VDMOSFET的抗辐照特性,最后给出了该器件的基本设计原则和加同工艺技术。

摘要：江泽民坐在白色钢琴前轻松地弹奏，旁边是克林顿在吹萨克斯，普京跳着恰恰舞，布莱尔手捧电吉他，安南牵着小朋友的手跳舞；还有伊丽莎白女王、曼德拉；阿拉法特与巴拉克在握手……近２００位国家元首及百余位名人，包括比尔·盖茨、迈克尔·杰克逊、李嘉诚、李奥纳多，还有米老鼠和唐老鸭等等，都在２０００年元旦盛大的Ｐａｒｔｙ中狂欢起舞……这就是著名油画大师刘宇一先生的新作──宏篇巨帙《博爱颂》为我们展现的空前的景象。虽然事先我对这幅画所描绘的意境已经有些了解，但当这幅长达１０米的原作在我的眼前被慢慢展开的时侯，它带给我的震撼是我所始料不及的。 采访刘宇一先生是在北京一个冬日的下午。我们面对面坐在画前，在经过了片刻的平静之后，刘先生开始向我讲述他心中孕育已久并且已经呈现出来的关于博爱的故事。

摘要：半导体器件内键合线的线形复杂程度决定键合工序和调试工序的效率。以提高键合工序生产效率为目的,利用射频仿真软件对某成熟半导体器件内匹配线进行从手动键合向自动键合的优化。结合金丝球焊线形特点,进行研究方案设计,通过仿真和测试的方法,最终将手动键合丝形状优化为适合自动球焊键合机键合的线形。射频测试结果表明,优化前后器件的S参数测试结果一致性较好。该优化方案缩短了仿真周期,实现了器件生产从手动键合向自动键合转化,提高了生产效率,改善了器件的一致性,使该器件实现了调测阶段的免调试,满足了大批量生产要求。

摘要：分析了影响VDMOS器件频率性能的一些关键参数,研制出1GHz输出功率10W,增益8dB的VDMOS器件。验证了VDMOS器件在这一频段的工作性能。测试结果与设计指标和理论计算基本符合,说明理论分析准确。

摘要：从双极型晶体管Gummel-Poon模型出发,综合考虑晶体管的器件结构、工作状态和参数提取条件等完成参数提取,运用优化算法对提取参数进行局部和全局优化,给出了得到的GP模型参数值。以此为基础采用差分放大电路形式,完成限幅放大器电路结构设计并对其进行分析,运用ADS仿真软件对限幅放大器进行仿真优化并进行了流片。结果表明,设计完成的限幅放大器在10～300 MHz工作频率内的小信号电压增益最大值大于25 dB,带内平坦度小于±1 dB,限幅输出电压约为1.2 V。

摘要：随着第三代半导体GaN器件技术的不断发展,GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在电子系统中逐步得到了广泛应用。研制了一款小型化L波段300 W GaN脉冲功率模块。研发了满足高压脉冲工作条件的GaN HEMT芯片,采用负载牵引技术进行了器件大信号阻抗参数提取,并以此为基础设计了小型化匹配网络进行阻抗变换。基于高压驱动芯片和开关器件芯片设计了小型化高压脉冲调制电路。测试结果表明,在工作频率990~1130 MHz、工作电压50 V、脉冲宽度100μs、占空比10%下,功率模块脉冲输出功率大于300 W,功率附加效率大于53%,功率增益大于38 dB。功率模块尺寸为30 mm×30 mm×8 mm。

摘要：基于放大器小型化大功率的发展趋势,介绍了一种P波段用于雷达装备的长脉宽小型化大功率的放大器模块。为实现小型化设计,该模块采用微波混合集成电路,独特的双层腔体结构,TTL调制电压信号、阻抗转换、ADS阻抗匹配仿真和优化等技术;为提高散热性能,晶体管采用钎焊于独特的盒体上使发热部分直接紧密与整机连接。在工作电压28 V、脉宽2.5 ms、占空比25%的测试条件下,成功研制出一款P波段功率放大模块,其体积更小,功率更大,效率更高。该模块峰值输出功率大于200 W、功率增益大于48 dB,模块体积为50 mm×40 mm×18 mm。

摘要：采用雪崩三极管MARX电路易产生亚纳秒导通前沿的高功率微波脉冲,可应用于激光LED驱动、超快脉冲前沿发生器和高速脉冲发生器等。介绍了雪崩三极管器件的工作原理及设计方法,采用针对雪崩模式工作的npn晶体管的特殊工艺设计,研制出了耐压400V,脉冲电流达80A的雪崩三极管器件并已投入批量生产。给出了雪崩三极管MARX使用电路及测试结果,重复频率可达400kHz。器件采用金属管壳片式封装,具有可靠性高、易于级联使用等优点。