摘要：半导体激光器在军事领域和工业领域有着广泛应用,近年在性能参数方面有许多引人瞩目的进展。综述了提高功率转换效率的技术方法和途径,指出经过工艺优化后焦耳热和阈值热将是未来激光器的主要研究内容,介绍了波长稳定的激光器的两种制作方法,即外光栅法和内光栅法,激光器的波长稳定性达到0.1 nm/K以下。在外延材料结构中采用各种形式的大光腔结构设计,可以扩展近场光斑,从而使半导体激光器的光束发散角达到25°甚至更低。对较热门的近衍射极限激光器的制作方法进行了介绍,分析了不同方法的优缺点及应用情况。

摘要：中海油惠州石化有限公司生产0#车用柴油调和组分的装置有高(中)压加氢裂化装置、汽柴油加氢精制装置及芳烃联合装置。在确保高柴油产量的条件下,设计了符合国Ⅲ、国Ⅳ和国Ⅴ标准要求的0#车用柴油调和方案,并针对调和过程中存在的问题提出了相应的解决措施。结果表明:各加氢柴油调和组分的十六烷值、闪点(闭口)及密度均满足相应的国标要求;高(中)压加氢、汽柴油加氢柴油的含硫量分别为10,40μg/g,后者高于国Ⅴ标准;重芳烃和煤油的凝点和冷滤点很低,具有较好的低温流动性;若用降凝剂乙烯-乙酸乙烯酯共聚物替代煤油调和柴油时,前者的加入会对脂肪酸型耐磨剂产生一定的负协同效应;采用优化后的调和方案,产品性质优于国标要求。

摘要：利用Visual Basic串口通信技术使单片机与计算机相连接,并且在Visual Basic环境下编写数字采集虚拟频率测试系统的程序,实现对数字量信号多种参数的采集、传送、实时测量及显示(频率、周期、脉冲宽度,占空比以及TTL电平采集等)。结果表明,设计具有较准确的测量能力和广泛的实用性,系统成功实现了局域网络远程测量,界面友好。

摘要：We design and fabricate a 128 × 128 AlGaAs/GaAs quantum well infrared photodetector focal plane array （FPA）. The device is achieved by metal organic chemical vapor deposition and GaAs integrated circuit processing technology. A test structure of the photodetector with a mesa size of 300μm × 300μm is also made in order to obtain the device parameters. The measured dark current density at 77K is 1.5 × 10^-3A/cm^2 with a bias voltage of 2V. The peak of the responsivity spectrum is at 8.4μm,with a cutoff wavelength of 9μm. The blackbody detectivity is shown to be 3.95 × 10^8 （cm · Hz^1/2）/W. The final FPA is flip-chip bonded on a CMOS read-out integrated circuit. The infrared thermal images of some targets at room temperature background are successfully demonstrated at 80K operating temperature with a ratio of dead pixels of less than 1%.

摘要：采用n型掺杂背面入射AlGaAs/GaAs量子阱结构,用MOCVD外延生长和GaAs集成电路工艺,设计制作了大面积AlGaAs/GaAs QWIP单元测试器件和128×128、128×160、256×256 AlGaAs/GaAsQWIP焦平面探测器阵列。用液氮温度下的暗电流和傅里叶红外响应光谱对单元测试器件进行了评估,针对不同材料结构,实现了9μm和10.9μm的截止波长;黑体探测率最高达到2.6×109 ***1/2.W-1。将128×128 AlGaAs/GaAs QWIP阵列芯片与CMOS读出电路芯片倒装焊互连,成功演示了室温环境下目标的红外热成像;并进一步讨论了提高QWIP组件成像质量的途径。

摘要：随着我国经济的不断发展,我国的第二产业经济得到了重大的突破和进步,成为主导中国经济的支柱性产业。对于第二产业的生产活动,机械设备是维持和帮助其产业发展的基本元素,许多产业的生产都离不开机械设备的辅助,甚至依靠机械自动化设备得以生存发展。因此,机械设备对中国主体发展产业的重要性可见一斑。而机械设备本身存在一定的安全问题,机械自动化设备更是如此。本文旨在探讨机械设计自动化设备的安全控制和管理。

摘要：采用n型掺杂的AlGaAs/GaAs和AlGaAs/InGaA多量子阱材料,基于MOCVD外延生长技术,利用成熟的GaAs集成电路加工工艺,设计并制作了不同结构的中波-长波双色量子阱红外探测器(QWIP)器件,器件采用正面入射二维光栅耦合,光栅周期设计为4μm,宽度2μm;对制作的500μm×500μm大面积双色QWIP单元器件暗电流、响应光谱、探测率进行了测试和分析。在-3V偏压、77K温度和300K背景温度下长波(LWIR)和中波(MWIR)QWIP的暗电流密度分别为0.6、0.02mA/cm2;-3V偏压、80K温度下MWIR和LWIR QWIP的响应光谱峰值波长分别为5.2、7.8μm;在2V偏压、65K温度下,LWIR和MWIR QWIP的峰值探测率分别为1.4×1011、6×***1/2/W。

摘要：目的:了解戒毒人员的戒毒和操守状况。方法:自行设计“戒毒情况调查表”,对997例在所劳教戒毒人员进行调查。结果:被调查者既往经过反复自愿、强制、劳教戒毒的分别为566例(56·77%),941例,(94·38%)和708例(71·01%),其中504例曾戒毒3次以上。戒毒后操守时间最长不足0·3a者278例(27·88%),不足1a者469例(47·04%),2a以上只有48例(4·81%)。戒毒后复吸的主要原因有“无聊无事”,“想再尝试一口”,“毒友诱惑”,“感受到歧视、自卑”,“稽延性戒断症状”等。有844例认为,出所后有50%以上复吸的可能性。戒毒出所后最需要的是“家庭、社会的理解和支持”(544例,占54·56%)。结论:大部分患者经历多次反复戒毒,未能彻底戒除毒瘾。影响操守的原因很多。提示单纯戒毒不能降低复吸率,应该把心理辅导、社会和家庭支持有机纳入整个戒毒过程中,才能延长操守,降低复吸率。

摘要：隧道结叠层激光器技术具有广泛的应用空间,如高斜率效率、高功率密度、多波长激光器等。采用LP-MOCVD系统生长隧道结材料,CCl4作为p型掺杂源,SiH4作为n型掺杂源,并采用δ掺杂技术,使得n+-GaAs的掺杂浓度大于1×1019/cm3,隧道结的面电阻率小于2×10-4Ω.cm2。设计生长了双叠层、三叠层材料,该材料制作的900nm双叠层激光器在200ns脉宽、20A工作电流下输出功率35W,斜率效率1.8W/A,是单层材料的1.8倍,隧穿结引入的压降约为0.15V;860nm三叠层激光器的斜率效率大于2.7W/A,是单层材料的2.7倍。