摘要：采用非加固工艺,通过设计加固手段实现具有辐射容忍性能的器件,可使器件抗辐射加固成本大为降低。本工作研究商用标准0.6,μm体硅CMOS工艺下不同设计参数的MOS晶体管的γ射线总剂量辐照特性。通过对MOS器件在不同偏置情况下的总剂量辐照实验,分别对比了不同宽长比(W/L) NMOS管和PMOS管的总剂量辐照特性。研究表明,总剂量辐照引起阈值电压的漂移量对NMOS及PMOS管的W/L均不敏感;总剂量辐照引起亚阈区漏电流的增加随NMOS管W/L的减小而增加。研究结果可为抗辐射CMOS集成电路设计中晶体管参数的选择提供参考。

摘要：设计并制作了针对无线通信系统电路的实验支撑平台，详细叙述了其设计思想、主要技术指标、组成及基本功能。实践表明，该平台对促进通信电路实验的教学改革起到了积极的推动作用。

摘要："高频电路系统课程设计"是一门以实验教学为主的课程,该课程以学生能力和创新精神培养为核心,通过探索教学方法、教学模式,创新实验教学体系,实施了一系列的有效措施,在自主学习能力、综合素质培养方面取得了一定的成效。

摘要：Both nMOS and pMOS transistors with two-edged and multi-finger layouts are fabricated in a standard commercial 0.6μm CMOS/bulk process to study their total ionizing dose （TID） radiation effects. The leakage current, threshold voltage shift, and transconductance of the devices are monitored before and after T-ray irradiation. Different device bias conditions are used during irradiation. The experiment results show that TID radiation effects on nMOS devices are very sensitive to their layout structures. The impact of the layout on TID effects on pMOS devices is slight and can be neglected.

摘要：本文介绍了“高频电路课程设计综合训练实验系统”的组成，包括硬件装置和软件工具，讨论利用该系统对学生进行的综合训练内容及目的，以培养学生高频电路系统的设计能力，所以，对工科院校本科生开设软，硬件结合的系统性设计实验是很必要的。

摘要：采用商用标准0.6μm体硅CMOS工艺设计了不同宽长比、不同沟道长度及不同版图结构的非加固型NMOS晶体管作为测试样品.经高剂量60Coγ射线的总剂量辐照实验,讨论其在不同栅源偏置电压下的总剂量辐照特性.研究表明NMOS总剂量效应对辐照时栅源偏置电压敏感;辐照引起阈值电压的漂移随W/L的变化不明显;沟道长度及版图结构对NMOS管辐照后的源漏极间泄漏电流的影响显著.