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基于SiO_(2)/ZnO/SiO_(2)/SiC复合结构瑞利波谐振器设计: 收藏
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引用; 《传感器与微系统》2022年第1期41卷 75-77页; 作者：刘智荣谢立强朱敏包文岐陆军工程大学国防工程学院江苏南京210007; 采用有限元法建立了ZnO/SiC,ZnO/SiO_(2)/SiC和SiO_(2)/ZnO/SiC这3种不同复合结构模型,仿真分析了ZnO薄膜厚度一定的情况下,不同厚度SiO_(2)薄膜对谐振器瑞利波相速度、机电耦合系数的影响,并根据分析结果设计出了基于SiO_(2)/ZnO/SiO_(...; 采用有限元法建立了ZnO/SiC,ZnO/SiO_(2)/SiC和SiO_(2)/ZnO/SiC这3种不同复合结构模型,仿真分析了ZnO薄膜厚度一定的情况下,不同厚度SiO_(2)薄膜对谐振器瑞利波相速度、机电耦合系数的影响,并根据分析结果设计出了基于SiO_(2)/ZnO/SiO_(2)/SiC复合结构瑞利波谐振器的具体尺寸。结果表明:设计的谐振器激发出的瑞利波相速度为7268.1 m/s,且器件具有3.52%的高机电耦合系数。; 来源：详细信息评论

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