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天麻动力相关蛋白GeDRP1E基因的克隆及功能初探
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《药学学报》2024年 第2期59卷 482-488页
作者:樊鑫 赵建豪 陈虞超 华中一 刘天睿 赵玉洋 袁媛广东药科大学中药学院广东广州510006 道地药材品质保障与资源持续利用全国重点实验室北京100700 宁夏农林科学院农业生物技术研究中心宁夏银川750002 江苏大学药学院江苏镇江212013 
基于天麻转录组数据,设计特异引物,克隆天麻DRP1E(dynamin-related protein 1E)基因,命名为GeDRP1E(GenBase登录号为C_AA018577.1),借助ExPASy、ClustalW、MEGA等软件对基因进行生物信息学分析利用拟南芥、马铃薯遗传转化体系获得转基...
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基于DSS标记特异性PCR鉴别冷背药材木槿皮基原植物及其混伪品
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《中国实验方剂学杂志》2022年 第17期28卷 133-139页
作者:刘亚男 华中一 赵玉洋 金艳 彭华胜 蒋超 蒲婧哲 袁媛安徽中医药大学药学院合肥230012 中国中医科学院中药资源中心道地药材国家重点实验室培育基地北京100700 安徽食品药品检验研究院合肥230051 
目的:冷背药材作为宝贵的药材资源,但因其本身的特殊性和复杂性,导致其鉴别成为中药鉴定中的难题,因此亟需建立冷背药材的鉴别方法。该研究利用DNA特征序列(DSS)标记,建立种冷背药材木槿皮基原植物木槿及其混伪品的特异性聚合酶链式反...
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光纤耦合器的差频特性及其应用
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《中国激光》2002年 第7期29卷 605-608页
作者:贾波 钱松荣 华中一复旦大学通信科学与工程系上海200433 
通过对 2× 2光纤耦合器的差频特性分析 ,设计了种结构新型的、可用于校正干涉信号畸变分量的全光纤干涉系统 ,该系统在振动特性测试和语音信号的全光纤采集。
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天麻二羧酸-三羧酸盐载体蛋白基因的克隆及功能初探
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《中国中药杂志》2023年 第12期48卷 3140-3148页
作者:赵建豪 陈虞超 华中一 刘天睿 赵玉洋 黄璐琦 袁媛江苏大学药学院江苏镇江212013 中国中医科学院中药资源中心道地药材国家重点实验室培育基地北京100700 中国中医科学院中医药健康产业研究所江西南昌330115 
基于天麻转录组数据,设计特异性引物,克隆天麻二羧酸-三羧酸载体蛋白编码基因GeDTC,并利用ExPASy、ClustalW、MEGA等软件对其进行生物信息学分析,利用马铃薯遗传转化体系,获得阳性转基因植株和微型薯,并对微型薯块茎的大小、质量、有机...
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新型有机电双稳态材料的设计和性质
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《化学学报》2002年 第1期60卷 4-6页
作者:武芳卉 周峥嵘 王全瑞 丁宗彪 陶凤岗 夏 燚 徐 伟 华中一复旦大学化学系上海200433 复旦大学材料科学系上海200433 
随着微电子器件尺度的不断缩小,可作为非硅存储器的有机电双稳材料已成为分子电子学研究的大热点[1,2].与传统的无机材料相比,有机材料具有作用体积小,容易获得,制作工艺简单等优点.
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种分子整流器件及其工艺研究
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《复旦学报(自然科学版)》2005年 第4期44卷 597-600页
作者:蓝碧健 刘春明 吕银祥 张骅 徐伟 华中一复旦大学材料科学系上海200433 
设计并合成了类D-π-A型具有整流特性的有机材料MR-1(对-二甲胺基苯基乙烯三腈),MR-2(对-二苯胺基苯基乙烯三腈),以其制成的整流器件Cu/MR-1/Ag整流比可达10000,其他器件M/MR-X/M(M为Ag或Cu)的整流比高的可达100;实验发现,溶液吸附法...
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STM“接触”式测量中的整流效应
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《真空科学与技术学报》2005年 第3期25卷 189-191,199页
作者:邱伟民 严学俭 李旭 沈淼 曾志刚 张莉 华中一复旦大学材料科学系上海200433 
在利用扫描隧道显微镜(STM)对Ag-TCNQ薄膜进行“接触”式的I-V特性测量中,发现由于接触势垒引起的整流效应。这为有机分子在电子学的应用方面,提供种新的思路,从而设计新的有机电子器件。
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共振光电子出现电势谱
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《仪器仪表学报》1982年 第1期3卷 10-17页
作者:华中一 诸葛健 潘星龙复旦大学 
在研究软X射线出现电势谱(SXAPS)和俄歇电子出现电势谱(AEAPS)的基础上,设计了种新的芯能级谱仪——共振光电子出现电势谱仪。用内装式X光管发射的软X射线照射样品时,如X光管阳极与被照样品为相同材料,则在阳极电压达到出现电势阈值时...
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种用作分子电子材料的螺杂环化合物
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《复旦学报(自然科学版)》2002年 第2期41卷 156-158,164页
作者:夏燚 周峥嵘 农昊 乐翊洲 徐伟 潘星龙 陶凤岗 华中一复旦大学材料科学系上海200433 复旦大学化学系上海200433 
设计并合成了种具有螺环结构的高熔点有机分子 .这种分子能够和银形成络合物薄膜 ,并具有很好的热稳定性和电双稳特性 .络合物薄膜在 8V电压作用下 ,可以从高阻态转变成低阻态 ,跃迁时间为 15ns .
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