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500 V/11 A VDMOSFET 的研究: 收藏
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引用; 《西安交通大学学报》1998年第5期32卷 22-25,30页; 作者：陈宁朱长纯吴一清单建安西安交通大学国营卫光电工厂香港科技大学; 在理论分析的基础上，设计制作了５００Ｖ／１１ＡＶＤＭＯＳＦＥＴ芯片，并且进行了失效分析，从而进一步解决了设计和工艺中存在的问题，提高了成品率．最后指出了今后努力的方向．; 在理论分析的基础上，设计制作了５００Ｖ／１１ＡＶＤＭＯＳＦＥＴ芯片，并且进行了失效分析，从而进一步解决了设计和工艺中存在的问题，提高了成品率．最后指出了今后努力的方向．; 来源：详细信息评论

硅基双层薄膜谐振器的数学模型及优化设计: 收藏
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引用; 《西北建筑工程学院学报（自然科学版）》1998年第2期15卷 7-13页; 作者：邓宁于丽娟朱长纯单建安西安交通大学真空微电子与微机械研究所香港科技大学电气与电子工程系; 研究了用工业ＩＣ技术和微细加工技术制造的硅基双层薄膜谐振器的工作机理，并建立了数学模型．对薄膜谐振效率、振幅及声产生效率与薄膜厚度、初始应力的关系进行了理论分析和计算，理论曲线与实验结果符合得很好．最后，给出了电热激...; 研究了用工业ＩＣ技术和微细加工技术制造的硅基双层薄膜谐振器的工作机理，并建立了数学模型．对薄膜谐振效率、振幅及声产生效率与薄膜厚度、初始应力的关系进行了理论分析和计算，理论曲线与实验结果符合得很好．最后，给出了电热激励薄膜谐振器的优化设计方法．; 来源：详细信息评论

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