摘要：可控型电力电子器件的驱动信号,是控制器发出的用于控制其开通和关断的控制信号,将低压侧的控制器和高压侧主电路连接在一起。驱动信号的隔离设计,实现高压和低压的解耦,对提高电路可靠性具有重要意义。光电耦合型、磁耦合型、光纤型等三种隔离驱动电路特性,进行了深入的对比分析,为高可靠性可控型电力电子电路设计和驱动、器件的一体化模块设计提供基础。

摘要：本文基于高压VDMOS器件的导通电阻模型,探讨了导通电阻影响因素;在保证器件击穿电压的同时,优化了外延层电阻;采用JFET注入工艺,减小JFET电阻;同时结合器件结构、元胞密度和芯片面积来降低器件的导通电阻。通过工艺仿真和二维数值仿真相结合的方法,设计了一款11A/600V的功率VDMOS器件。经流片测试数据表明,产品性能达到国外同型号产品的参数水平。

摘要：本文针对一种对管MOSFET产品6A/20V、-4.4A/-20V进行研究。产品具有低压、低阈值、低导通电阻,且具有抗单粒子37Mev/(mg/cm^(2))、抗电离总剂量100K rad(Si)要求特性,对产品进行了方案设计,以及关键设计技术和关键工艺技术分析,同时利用二维仿真软件ISE-TCAD对器件的电学特性进行了仿真模拟,产品经过最终流片、封装测试,技术参数达到了国外对应型号FDW2520C的技术特性指标,开关特性还优于FDW2520C,可以替代国外同类型号产品。

摘要：本文针对高压VDMOS器件的结终端技术进行研究。文中分析了场板、场限环、截止环、结终端扩展技术以及横向变掺杂的基本设计方式和提升器件耐压的机理,并设计了一款600V高压VDMOS的复合终端结构,经封测及可靠性验证,性能稳定。

摘要：对于100V以下低压功率MOSFET器件,要实现大电流和低导通电阻,若采用平面结构,芯片面积会很大,不能满足元器件小型化的市场需求。本文针对电压100V、电流180A、导通电阻6.4mΩ的功率MOSFET器件,着重研究了槽栅MOSFET的关键设计和工艺技术,同时利用仿真软件ISE-TCAD对器件的电学特性进行了仿真模拟,产品最终流片、封测结果:技术参数达到了设计要求,并且可以替代国外同类型号产品。

摘要：通过分析VDMOS产品总剂量和单粒子的失效机理,提出了相应的总剂量和单粒子加固方案,同时对具有抗辐照要求的VDMOS在终端设计和管芯工艺设计中重点需要考虑的问题进行了分析和总结。本文所采用的总剂量和单粒子加固方案已经在N沟200V产品的设计和工艺中应用,试验结果证明方案可行、措施有效。

摘要：低压MOSFET具有低导通损耗、快开关速度和高输入跨导的优点,目前在一些便携电子设备中应用十分广泛。本文研究了低压P沟VDMOS产品的设计方法,针对40伏P沟VDMOS产品进行了参数设计和结构优化,利用二维仿真软件ISE-TCAD对器件的电学特性进行了仿真模拟。产品经流片、测试,技术参数达到了设计要求。

摘要：VDMOS产品在高温反偏试验过程中,经常出现耐压和漏电流失效或不稳定的现象。对Si-Si O2系统中四种基本形式的电荷或能态以及高温反偏主要失效机理进行了分析,同时针对200V塑封VDMOS器件高温漏偏试验过程中漏源漏电IDSS增大且不稳定的现象,通过器件终端结构设计的改进,解决了此问题。终端改进后的产品在150℃、1000小时的高温漏偏试验过程中未发生漏源漏电IDSS增大的问题,试验后常温测试产品漏源漏电IDSS在90n A左右。

摘要：功率VDMOS器件的热阻,是衡量输入功率与工作环境热特性的重要参数,在器件研制和系统设计中占有重要地位。从器件的热模型出发,给出了热阻的测试方法。针对二极管正向压降测试所需要的温度系数,分析了数据处理方法,给出提高温度系数计算精度的途径。结合热电偶测量原理,给出了提高热电偶测量精度的方法。所涉及的热阻测量方法,能够为热阻的高精度测量提供基础。