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MLC型NAND闪存中Polar码的优化设计: 收藏
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引用; 《南京邮电大学学报（自然科学版）》2018年第3期38卷 40-46页; 作者：卞建慧赵生妹孔令军南京邮电大学通信与信息工程学院江苏南京210003; 为了进一步提升多级存储单元的纠错性能,提出了一种基于多级存储单元阈值电压分布的Polar码优化设计方法。针对多级存储单元的固有特性,该方法迭代计算各存储单元比特的巴氏参数值优化设计Polar码。分析了不同构造方法对多级存储单元闪...; 为了进一步提升多级存储单元的纠错性能,提出了一种基于多级存储单元阈值电压分布的Polar码优化设计方法。针对多级存储单元的固有特性,该方法迭代计算各存储单元比特的巴氏参数值优化设计Polar码。分析了不同构造方法对多级存储单元闪存性能的影响,并与文中所构造的Polar码和系统Polar码在多级存储单元信道中的性能进行了比较。仿真结果表明:在多级存储单元信道中,当误码率为10^(-5)时,本文所构造的Polar码与高斯信道下经典巴氏参数法构造的Polar码相比可获得约2 d B增益;当信噪比为21 d B时,与蒙特卡罗法构造的Polar码相比,文中设计的系统Polar码的误码率可提升2个数量级。; 来源：详细信息评论

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