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光子存储单元的光伏效应
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《红外与毫米波学报》2004年 第3期23卷 205-207页
作者：卞松保 李桂荣 唐艳 胡冰 李月霞 杨富华 郑厚植中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室北京100083 
报道了光存储效应在一种特殊设计的光存储单元Ⅰ Ⅴ特性上的响应 .当单元偏置在光存储模式下 ,越过禁带的光激发会产生一个台阶状的电流阶跃 .利用瞬态光电流测试装置测量电流阶跃处的瞬态响应 ,验证了“开关”光电流下降沿主要反映...
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