摘要：斯特林堡在早期创作中就对人类大脑运动和心理活动展现出特别的兴趣，通常被认为是自然主义戏剧代表作的《朱丽小姐》正是这种特别兴趣的反映。斯特林堡外化了发生在人与人大脑之间的战争，这种“大脑之战”意图对人的精神世界进行描摹，展现意志较强的“新人”对意志较弱的“旧人”进行思想传导的过程，而语言是此过程中最重要的手段。因此，《朱丽小姐》可被视作表现主义的前奏。斯特林堡对“强者”意志的探索和对“戏剧真实”的追求，决定了《朱丽小姐》的舞台革新手段，奠定了该作品的现代性。

摘要：门窗的安装固定是保障建筑物安全和舒适度的重要环节。而传统门窗固定工艺存在成本高、强度不均匀等问题,极大地影响了建筑物的安全性、耐久性和舒适性。以机械锚固技术为支撑,探究钢质防火门、室内及楼宇公区木门、室内铝合金门安装方案,并从荷载内力及膨胀螺栓剪力角度论证其可行性。研究发现,在门窗工程中应用机械锚固技术,可有效解决传统门窗安装固定工艺中的不足,提升建筑品质,对于门窗安装固定工艺进一步优化升级具有重要的指导意义。

摘要：与硅金属氧化物半导体场效应管(silicon metal oxide semiconductor field effect transistor,SiMOSFET)相比,碳化硅(silicon carbide,SiC) MOSFET具有更高的击穿电压,更低的导通电阻,更快的开关速度和更高的工作温度,正被广泛应用于光伏逆变器、电动汽车和风力发电等领域,但是SiC MOSFET的高开关速度会导致器件开关过程中发生电流、电压过冲和振荡,不仅会增加器件的开关损耗,甚至会导致器件损坏。文中首先对SiC MOSFET的开关过程进行详细分析,得出器件开关过程中电流、电压过冲和振荡的产生机理,然后根据影响电流、电压过冲和振荡的关键因数,设计一款有源驱动电路。该电路能够在器件开关的特定阶段内同时增加驱动电阻阻值和减小栅极电流,从而抑制器件开关过程中的电流、电压过冲和振荡。实验结果表明,与传统驱动电路相比,所设计的有源驱动电路能够在不同驱动电阻、负载电流和SiC MOSFET条件下,均有效抑制器件的电流、电压过冲和振荡。

摘要：MOSFET作为CLLLC谐振变换器的核心器件,其散热设计会影响CLLLC谐振变换器能否安全可靠运行。针对5 kW的CLLLC谐振变换器,分析了散热器的表面温度与功率器件结温之间的关系。在此基础上,探讨了散热器表面温度与与其几何尺寸之间的关联程度,并对散热器肋片数、肋片厚度、肋片高度、风扇的风量等进行了优化设计。介绍了一种能够实现散热器表面温度最小的优化设计方法,并运用仿真与理论设计进行了对比验证。

摘要：碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)具有工作频率高、耐温高、临界击穿场强高和寄生参数小等特点,广泛应用于高功率密度和高开关频率场合。首先总结分析了各种短路过流检测方法,然后基于分流器检测法设计了一款SiC MOSFET短路保护电路,最后简要分析其工作原理,并进行实验验证。实验结果表明,所设计的SiC MOSFET短路保护电路,能在发生短路的1μs内完成保护动作,确保器件的安全运行。

摘要：卢乙莹（上海戏剧学院MFA在读艺术硕士）：老师,最近滇剧《水莽草》入选2016年国家艺术基金大型舞台剧作品滚动资助项目,上戏校园的宣传栏特意为此张贴了红榜。罗怀臻（剧作家、上海戏剧学院兼职教授）：《水莽草》能够成为今年国家艺术基金重点扶持的项目,可喜可贺。全国上百部优秀舞台剧作品申报国家艺术基金,入选几十部,最终只产生包括戏曲、话剧、歌剧、舞剧在内的八部作品成为重点扶持对象,其中有一部就是云南省玉溪市的滇剧《水莽草》,非常难得。上戏教授熊源伟老师导演了这部滇剧。

摘要：民办本科高校在抓紧教学渠道的同时，更应注重学生思想政治教育和道德规范教育，严抓过程教育和学生能力的培养，通过高雅的艺术和丰富多彩的校园交化活动给学生提供更多锻炼能力的机会，良好的校园文化生活是学生健康成长的基础，也是改进大学生思想政治教育的重要途径。以校园科技史化艺术节为载体，开展政治、思想、道德、文化、审美、心理、技能等方面的教育与训练为内容的系列校园科技文化活动。尤其开展融入“思想性、知识性、教育性、娱乐性”的活动，展现了民办高校师生团结选取、和谐发展、奋发向上的精神风貌，营造了文明和谐的校园文化氛围，有利促进良好校风、教风和学风的形成。

摘要：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFET)凭借高工作温度、高开关频率和低导通损耗等优点,被广泛应用于高压、高温和高工作频率场合,但SiCMOSFET的短路耐受时间较小,仅为2~5μs,这对SiCMOSFET的短路保护电路提出了更高的要求。首先总结分析SiCMOSFET短路故障特性,然后基于源极电感检测法设计一款SiCMOSFET短路保护电路并简要分析其工作原理,最后搭建实验平台进行实验验证。实验结果表明,所设计的短路保护电路结构简单,当SiCMOSFET发生硬开关短路故障或负载短路故障时,保护电路能够在故障发生的1μs内关断器件,保证器件的安全运行。

摘要：为了使SiCMOSFET工程运用时避免串联扰动的威胁,研究栅源回路参数对串联扰动的影响是很有必要的。研究通过对栅源回路参数的调控,将串联扰动现象分为正压尖峰与负压尖峰两部分进行分析,确定影响串扰电压尖峰的参数,为驱动回路参数设计提供方向性意见。首先建立拓扑简化模型,理论分析影响电压尖峰的栅源回路参数,随后搭建实验平台进行电压尖峰观测以及对理论分析进行实验验证,最后对实验波形进行分析。实验表明,当驱动电阻为0~20Ω、驱动杂散电感为0~300 nH、栅极电容为0~10 nF时,串联扰动随着桥臂自身驱动电阻、驱动杂散电感的增大而增大、随着栅极电容的增大而减小。此外,负载阻抗会影响负压尖峰,尖峰震荡同样会影响器件正常工作。

摘要：为了实现无富集条件下对碘-131的快速精准测量,提出了针对医疗场所空气中碘-131的γ、β联合测量方法。通过Geant4建立探测系统模型,模拟研究探测系统对碘-131释放的β粒子和γ射线进行探测,其中NaI探测器和塑料闪烁体探测器分别实现对γ射线和β射线的测量。模拟计算表明,探测系统获取的γ全能峰计数、β计数与碘-131浓度之间存在线性关系。系统可首先通过获取γ能谱分析碘-131特征峰实现碘-131识别,利用γ射线全能峰计数与β射线计数之间的线性关系确定β射线贡献是否仅来自于碘-131,然后利用β射线的高探测效率进行快速测量。模拟计算探测系统测量1 h,其双3英寸NaI探测器的探测效率为1.7%,其MDC可达到19.59 Bq/m^(3),其塑闪探测器的探测效率为36%,MDC为7.93 Bq/m^(3),均显著低于38.50 Bq/m^(3)。基于γ全能峰计数和β计数的联合计算公式计算的碘-131的浓度,相对误差≤0.6%。提出的探测系统充分利用了β射线探测效率高和γ能谱能量识别能力强的优点,通过γ能谱全能峰计数和β计数测量可实现碘-131浓度的快速准确测量。