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分子束外延生长的赝配高电子迁移率晶体管结构中深能级的研究: 收藏
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引用; 《物理学报》1993年第5期42卷 817-823页; 作者：卢励吾周洁梁基本孔梅影半导体超晶格国家重点实验室中国科学院半导体研究所北京100083 中国科学院半导体材料科学实验室北京100083 中国科学院半导体研究所北京100083; 应用深能级瞬态谱(DLTS)技术详细研究分子束外延生长的Pseudomorphic—high elec-tron mobility transistor(P-HEMT)结构中深能级行为。样品的DLTS表明,在P-HEMT结构的n-AlGaAs层里存在着较大浓度(10^(15)-10^(17)cm^(-3)和俘获截面(10^...; 应用深能级瞬态谱(DLTS)技术详细研究分子束外延生长的Pseudomorphic—high elec-tron mobility transistor(P-HEMT)结构中深能级行为。样品的DLTS表明,在P-HEMT结构的n-AlGaAs层里存在着较大浓度(10^(15)-10^(17)cm^(-3)和俘获截面(10^(-16)cm^2)的高温电子陷阱。它们直接影响着器件性能。高温电子陷阱的产生可能与AlGaAs层里的氧含量有关。实验结果还表明,DLTS技术有可能成为器件优化设计的一种工具。; 来源：详细信息评论

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