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具有多阶场板的300V薄层SOI RESURF nLDMOS设计
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《微电子学》2013年 第6期43卷 841-845页
作者:王卓 邹杰 周锌 卢慕婷 乔明 张波电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054 
提出了一种具有多阶场板的300V薄层SOI RESURF nLDMOS器件。借助RESURF和MFP技术,优化了器件表面电场分布,避免了器件在表面提前击穿,提高了器件耐压。通过分析器件的结构参数,进一步得到优化的器件击穿电压和比导通电阻。与常规nLDMOS...
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