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具有多阶场板的300V薄层SOI RESURF nLDMOS设计: 收藏
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引用; 《微电子学》2013年第6期43卷 841-845页; 作者：王卓邹杰周锌卢慕婷乔明张波电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054; 提出了一种具有多阶场板的300V薄层SOI RESURF nLDMOS器件。借助RESURF和MFP技术,优化了器件表面电场分布,避免了器件在表面提前击穿,提高了器件耐压。通过分析器件的结构参数,进一步得到优化的器件击穿电压和比导通电阻。与常规nLDMOS...; 提出了一种具有多阶场板的300V薄层SOI RESURF nLDMOS器件。借助RESURF和MFP技术,优化了器件表面电场分布,避免了器件在表面提前击穿,提高了器件耐压。通过分析器件的结构参数,进一步得到优化的器件击穿电压和比导通电阻。与常规nLDMOS结构相比,该器件不仅具有高的击穿电压,而且制造工艺简单、成本低。; 来源：详细信息评论

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