摘要：研究了光电探测器(PD)的结构、性能以及后续放大电路,实现了塑料光纤通信的高速单片集成光接收芯片。首先,根据工艺流程和参数,采用器件模拟软件对PD结构进行了建模,并对其光谱响应度和结电容进行了理论推导及仿真。基于Cadence/spectre软件和仿真得到的PD参数对由跨阻放大器、限幅放大器和输出缓冲电路组成的后续放大电路进行了协同设计。采用0.5μm BCD(Bipolar,CMOS and DMOS)工艺对单个PD以及PD和后续放大电路单片集成电路进行了流片、封装和测试。结果表明:PD的光谱响应曲线的峰值波长和仿真结果较一致,约为700nm,PD结构更适合短波长探测;PD的结电容随着反向电压的增大而减小,结电容越大,光接收芯片的带宽越小;对于650nm的入射光,在小于10-9的误码率条件下,光接收机的灵敏度为-14dBm;最后得到了150Mb/s速率的清晰眼图。实验结果显示,设计的高速单片集成光接收机可以应用于百兆速率光纤入户通信系统。

摘要：通过仿真优化探测器的结构参数和性能,设计了基于0.25μm标准BCD(Biplor,CMOS and DMOS)工艺的大面积多叉指状PIN光电探测器.选择已优化的大面积光电探测器用于和跨阻放大器以及后端放大器单片集成,采用0.25μm BCD工艺实现了一个用于650nm塑料光纤通信的单片集成光接收芯片.结果表明:多叉指状PIN光电探测器对650nm入射光的响应度提高至0.260A/W,其结电容降低至4.39pF.对于650nm的入射光,在速率250 Mb/s、误码率小于10-9的条件下,光接收芯片的灵敏度为-23.3dBm,并得到清晰的眼图.该光电探测器可用于宽带接入网中的高速塑料光纤通信系统的光接收芯片中.

摘要：基于0.5μm标准Biplor、互补金属氧化物半导体和双扩散金属氧化物工艺设计了两种不同结构不同尺寸的光电探测器,包括传统的P+/N-EPI/BN+结构光电探测器和多叉指P+/N-EPI/BN+结构的光电探测器.通过仿真优化设计了光电探测器的结构参量和性能,测试结果表明:多叉指状P+/NEPI/BN+光电探测器能够改善650nm的响应度以及降低结电容.选择该结构大面积P+/N-EPI/BN+光电探测器用于和跨阻放大器以及后端放大器的单片集成,采用0.5μm标准Biplor、互补金属氧化物半导体和双扩散金属氧化物工艺实现了一个用于650nm塑料光纤通信的单片集成光接收芯片.该光接收芯片的测试结果表明:对650nm的入射光,在160 Mb/s速率的伪随机二进制序列以及小于10-9的误码率条件下,光接收芯片的灵敏度为-15dBm,并能得到清晰的眼图.因此,本文设计的光电探测器可以很好地应用于宽带接入网中的高速塑料光纤通信系统的光接收芯片中.

摘要：设计并用低成本的0.5μm BCD(biplor,CMOS and DMOS)工艺实现了用于650nm塑料光纤(POF)通信的Si基单片集成光接收芯片,其中包含了与标准工艺兼容的大面积的叉指状的PIN结构的光电探测器(PD)、跨阻放大器(TIA)以及后端放大器(PA)。采用NI公司的图形化编程软件LabVIEW和硬件PXI并结合光学调整平台的测试方案对流片后的光接收芯片进行测试,结果表明,PD的暗电流为pA量级,响应度为0.25A/W,电容为4.4pF;对650nm的入射光,在180Mbit/s速率的伪随机二进制序列(PRBS)以及小于10-9的误码率(BER)条件下,测得光接收芯片的灵敏度为-14.6dBm,并能得到清晰的眼图,包括200μm×200μm的PD在内总的芯片面积0.9mm2,5V的电源下功耗为60mW。

摘要：提出一种基于BCD工艺用于检测微弱光信号的单光子雪崩光电二极管(SPAD)及前端淬灭-复位电路(QRC)。为减小边缘击穿的风险,提高响应度,设计了一种圆形P+/Nwell/Deep Nwell结构SPAD,Deep Nwell和衬底之间形成的pn结,能够有效减少p衬底流向雪崩区的暗电流,降低暗计数率,也保证了较小的纵向渡越时间,提高了响应速度。同时设计了P阱保护环,增大了器件的击穿电压。采用silvaco对器件进行二维仿真,与传统的P+/Nwell结构以及P+/Nwell/BNwell结构进行了比较,验证了设计结构在击穿电压、响应度方面的优越性。为实现光电探测器与集成电路的协同设计,改进了APD光电器件的等效电路模型并在此基础上设计了主动淬灭复位电路,死时间约为2.6 ns,能够达到快速探测的目的。测试结果表明,P+/Nwell/DNwell结构的雪崩击穿电压为15.8 V,在过电压为0.2 V时,650 nm光照射下,响应度约为0.80 A/W,暗计数率为20 kHz。

摘要：为提高大纤芯(1 mm)塑料(POF)光纤通信用的单片集成光接收机(OEIC)的速率并降低成本,对Si基大光敏面光电探测器(PD)的结构、性能以及后续放大电路进行了研究。首先,基于标准CMOS工艺流程对N+/N-well/p-sub PD结构进行建模和优化设计,对其光谱响应曲线和频率特性曲线进行了仿真;其次,建立PD等效电路模型,结合设计的后续放大电路进行协同设计与仿真;最后,采用0.5μm CMOS工艺对单个面积为200μm×200μm的PD以及后续放大电路单片集成电路进行了流片、封装和测试。实验结果表明,在-2.5V偏压下和650nm波长入射光,N+/Nwell/p-sub PD的响应度约有0.12 A/W,暗电流约为-9pA;单片光接收机在小于10-9的误码率BER条件下,灵敏度为-23dBm,并得到250 Mbit/s速率的清晰眼图。

摘要：提出采用Si基标准工艺进行研制与标准工艺兼容的光敏三极管,重点解决光敏三极管结构与标准工艺兼容性问题,并实现对其结构、性能的优化设计。通过CADENCE软件,画出不同光敏三极管的版图;根据华润上华(CSMC)Si基标准工艺流程,采用器件模拟软件Silvaco,对光敏三极管结构进行构建和仿真;基于理论分析结果,通过设计改变结构优化光敏三极管性能。采用CSMC标准Si工艺,实现了基区面积分别为40μm×40μm、50μm×100μm、80μm×100μm和100μm×100μm光敏三极管的流片、封装和测试。结果显示,所设计的光敏三极管的响应度达到2.02A/W,放大倍数β达到60倍,最大带宽达到50 MHz左右。并且,标准Si工艺的低成本和放大集成电路的兼容性,使得制备的光敏三极管可以广泛适用于快速光耦合器、光数据接收器等应用领域。

摘要：目的 对小丑照护在儿童围术期的应用进展进行文献综述,为今后的临床实践应用提供参考。方法 检索回顾相关国内外文献,对小丑照护的起源发展、作用机制和小丑照护在儿童围术期的应用方法及效果进行综述。结果 小丑照护可以减轻儿童围术期的焦虑、疼痛、提高家属及医务人员的满意度,从而节约医疗成本。结论 小丑照护作为一种非药物干预方法,在儿童围术期照护中取得了显著成效,但部分研究结果仍有争议,建议后续研究者基于儿童年龄进行分层设计、扩大样本量,加强相关机制的研究,为小丑照护在儿童围术期的实践与应用提供依据。

摘要：采用C#作为开发工具,使用SQL Server 2005数据库,给出了学生成绩管理系统。该系统具有执行高效、界面友好、实用性强等特点,实现了学校管理员统筹管理、教师整体把握和学生自主查询等功能,具体包括学生信息管理、课程信息管理、成绩信息管理、用户信息管理和系统维护管理等子模块。经验证,该系统符合高等学校对学生成绩管理的实际需要,有助于教师掌握学生的整体学习情况,适用于各类高等学校进行推广应用。

摘要：为提高塑料光纤(POF)通信系统的输出光功率及信号完整性,对包括光发射机、POF、光接收机以及相关的耦合透镜的POF通信系统进行设计,光收发芯片均为自主研发的硅基光电集成芯片。首先,从理论上对整个通信系统的光路进行了设计;其次,采用TracePro软件对系统光路过程进行了模拟和分析,优化设计了系统及封装参数;最后,对系统光功率和眼图进行了测试。结果表明,采用设计的光路和透镜参数,可以将耦合进POF的光功率提高大约5.5μW;获得了在125 Mbps输入速率下的眼图,眼图线迹清晰,噪声较小,测试结果满足百兆速率的通信要求。