摘要：建立二维柱坐标系导热微分方程,分离变量计算了聚光系统中电池和热沉的温度分布,其分布规律与贝塞尔函数有关;通过分析数学函数曲线趋势,预测其温度变化规律。参考试验条件,数值求解电池与热沉温度分布情况;理论分析与数值求解结果吻合。通过分析,提出聚光光伏散热方式的选择必须考虑高效、均匀散热效果,为进一步提高聚光转换效率和散热系统合理设计提供理论指导。

摘要：考虑到聚光电池表面的高辐射能流密度,相应的热沉温度分布的不均匀性,以及传统热管散热的局限性,设计了一种特殊结构形式的热管组以用于聚光电池散热。通过对其进行数值计算,比较了在不同倾角下热管组的压力场、速度场、温度场、以及相体积分数的分布情况,并将该型热管与普通热管的计算结果相比较,发现该型热管在预防携带极限和干涸极限的发生方面确实要优于普通热管。设计的热管组在高辐射能流密度的条件,消融温度的不均匀性将会起到很好的效果。

摘要：设计了一种基于全集成GaN工艺平台,具有抗负压、抗共模噪声的电平位移电路。相较于传统的电平位移电路,通过电路设计将驱动部分的低电压域同高侧部分电路的低电压域保持一致,实现了抗负压的功能。除此之外,针对半桥驱动开关节点的抬升、下降引起内部电容充放电并导致信号逻辑错误的问题,对高侧部分电路进行设计,实现了抗共模噪声的能力。在200 V GaN工艺下,电平位移电路将0~6 V的输入信号转换至200~206 V。仿真结果表明,该电平位移电路的上升传输延时为4.74 ns,下降传输延时为4.11 ns,抗开关节点负压为-4 V,具有100 V/ns共模噪声抑制能力。

摘要：设计了一种适用于GaN栅驱动的高速、高共模瞬态抗扰度的电平位移电路。电路受PWM信号和短脉冲协同控制,利用短脉冲控制的加速电路提升了电平转换速度。在浮动电源轨高速切换和减幅振荡过程中,电路内部对地寄生电容的充放电会导致输出逻辑错误。针对此问题,采用一种高速、低功耗的交叉控制式噪声屏蔽电路,实现了极高的共模瞬态抗扰度。采用0.35μm高压CMOS工艺进行电路设计。仿真结果表明,在100 V电平转换情况下,该电平位移电路的平均传输延时为1.58 ns,延时失配小于100 ps,共模瞬态抗扰度达到200 V/ns。

摘要：DToF(Direct Time-of-Flight)激光雷达通过直接测量激光的飞行时间完成距离测量和地图成像,应用于自动驾驶的DToF激光雷达需要具备更高的分辨率和更宽的检测范围。GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)相对于传统Si基功率MOSFET的优异特性使其非常适合应用于自动驾驶中的DToF激光雷达,而GaN HEMT性能的发挥依赖于高速、高驱动能力和高可靠性的GaN栅驱动电路。针对应用于自动驾驶的DToF激光雷达系统,从系统电路到核心元器件,分析了激光二极管驱动电路面临的设计挑战、GaN HEMT的优势以及GaN栅驱动电路面临的设计挑战,并介绍了适合该应用的GaN栅驱动电路。

摘要：针对纳米级半导体制造工艺中传统测试芯片掩模面积利用率低的问题,提出一种基于模块化单元的可扩展成品率测试结构阵列设计方法.基于45nm CMOS制造工艺分别实现32×32和64×64 2个大规模的测试结构阵列,模块化单元的有效面积利用率达79.31%和70.8%;流片后通过测试数据的分析能够发现通孔缺失、通孔尺寸变大以及大尺寸缺陷导致金属缺失等工艺缺陷问题.试验结果同时表明,该方法将传输门器件和测试结构组合成模块化单元;不仅能够实现对测试结构的四端测量,保证测试结果的正确性,并且能够减小成品率测试芯片的掩模面积.

摘要：介绍了EPE设计过程中所需注意的厚度选定,刚度,轧模等一系列问题的优化,并论述了优化设计对生产成本等的重要性,对目前用EPE做缓冲包装的公司有着重要的经济意义。

摘要：关键面积计算对于集成电路成品率的准确预测有着重要的意义。为了得到精确的结果,关键面积计算需要根据缺陷形状的不同选择适当的缺陷模型。针对化学机械研磨引入的划痕,提出了一种线性缺陷模型来计算其关键面积。在此基础上进一步考虑了线端效应的影响,对考虑划痕的关键面积计算模型提出了改进。实验结果表明改进后模型的计算结果更为准确。

摘要：H13是一种具有良好的性价比及工艺性能的热作磨具钢,目前在国内外得到广泛应用,该钢种热裂纹敏感性强,对纯净度、内部质量等指标要求严格.韶钢根据热作模具钢H13的成分、产品特性及自身生产工艺装备,设计了"转炉-LF精炼-RH真空处理-大方坯连铸-入坑缓冷-轧制-检验、入库"生产工艺流程,通过转炉双渣操作、出钢渣洗预脱氧、LF高碱度渣精炼、RH长时间高真空脱气、连铸弱冷等工艺措施,成功开发出各项性能均能满足客户要求的H13圆钢产品.