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检索条件"作者=叶志生"
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测量气液界面浓度场的双波长实时全息干涉系统
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《光电子.激光》2000年 第3期11卷 285-288页
作者:何明霞 叶志生天津大学化学工程研究所天津300072 天津大学光电子工程系天津300072 
本文报道一种激光双波长实时显微全息干涉系统。该系统的光路设计很好地解决了激光双实时测量中的问题。利用该系统测量了甲醇 -乙醇 - CO2 等三元物系气液界面处液相侧的浓度场 ,得到了清晰的两个实时全息干涉条纹图 ,清楚地观察到了...
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电光Q开关红宝石激光脉冲展宽的研究
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《光电子.激光》2006年 第9期17卷 1060-1064页
作者:朱永哲 叶志生 撒昱 王升平 高惠敏天津大学精密仪器与光电子工程学院光电信息技术科学教育部重点实验室天津300072 
从理论分析了电光Q开关红宝石激光的反转粒子数密度、腔损耗(含激光输出)与光子密度之间瞬态变化关系,导出了脉冲展宽条件。设计出与理论计算结果符合的电光调Q开关驱动电路,该电路在1μs内用3个信号的结合来驱动电子管FM-30工作。大量...
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高压快速调Q开关电源的设计
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《电力电子技术》2005年 第3期39卷 90-91,63页
作者:张鹏泉 叶志生 撒昱天津大学天津300072 
介绍一种高压快速调Q开关电源,设计了以功率MOS管驱动高压电子管为主电路的快速开关,并设计了电源的接口电路、MOS管驱动电路、过流保护电路及高压源稳压电路。实验证明,该电源性能优良且工作稳定。该电源用于YAG激光器的电光调Q时,加...
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长脉冲医用Nd:YAG激光器斩波技术的研究
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《光电子.激光》2005年 第3期16卷 380-384页
作者:叶志生 徐锡强 撒昱 王升平 高慧敏天津大学精密仪器与光电子工程学院 
运用绝缘栅双极型晶体管(IGBT)对泵浦氙灯进行斩波放电,并采用间歇式长脉冲斩波技术,设计了一套能发射和控制长脉冲激光的Nd:YAG激光器.与传统连续式长脉冲斩波技术相比,该技术使IGBT在更大的安全工作区(SOA)内稳定工作;泵浦功率高,提...
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稳流氙灯预燃电源的设计
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《量子电子学报》2004年 第1期21卷 23-26页
作者:田永盛 叶志生 撒昱 金贞姬 王升平天津大学精仪学院与教育部光电子信息工程开放实验室天津300072 
本文介绍了一种稳流氙灯预燃电源,通过脉宽调制对氙灯进行稳流调控,保证激光长脉冲(10-100 ms)时氙灯稳定可靠工作。实验证明该预燃电源对不同参数的脉冲氙灯有很好的适用性.
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高重复率电光Q开关Nd:YAG激光器
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《光电子.激光》2005年 第7期16卷 797-801页
作者:叶志生 张鹏泉 撒昱 徐锡强 王升平 高惠敏天津大学精密仪器与光电子工程学院天津300072 
研制了高重复率电光Q开关Nd:YAG激光器,激光谐振腔是曲率半径为10m的全反镜和反射率为4%的输出镜组成的平凹腔,选用2支脉冲氙灯(7mm×130mm)串联作为Nd:YAG激光棒(8mm×140mm)的泵浦源,电光晶体选用KDP。为了实现高脉冲能...
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纳秒上升时间Q开关高压脉冲发器的设计
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《光电子.激光》2003年 第3期14卷 256-260页
作者:朱军 叶志生 王升平 高惠敏 任国权天津大学精密仪器与光电子工程学院天津300072 
设计了一种基于MarxBankGenerator脉冲发原理而设计的ns级上升沿调Q开关雪崩三极管高压脉冲发器。它可以在20ns以内的时间在Nd:YAG激光器的电光调Q晶体(KD*P)两端加上1/4波高压,调Q时间由原来使用电子管时的90ns缩短为15ns以内,从...
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Q开关红宝石激光治疗机的设计研究
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《光电子.激光》1999年 第6期10卷 557-559页
作者:叶志生 金贞姬 高慧敏 郁洪刚天津大学精密仪器与光电子工程学院天津300072 
本文根据Q开关红宝石激光治疗色素性疾病的原理,设计了用于治疗皮肤色素性病变的Q开关红宝石激光治疗机。通过提高泵浦效率和充电精度,并采用强制水冷的方法冷却,使输出功率和工作稳定性得到提高,输出能量的不稳定度小于±2...
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人类染色体自动解析系统
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《中国医疗器械杂志》2001年 第1期25卷 16-17,25页
作者:叶志生 胡晓飞 高慧敏 李金泉天津大学精密仪器与光电子工程学院300072 天津理工大学自动化系300191 
介绍一种染色体自动解析系统的设计方法 ,系统主要实现染色体的自动识别、排序、配对 ,同时检测出变异染色体 。
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医用长脉冲Nd:YAG激光器控制系统的设计
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《电气自动化》2006年 第1期28卷 60-61,67页
作者:李正珂 叶志生 撒昱 王升平 高惠敏天津大学精密仪器与光电子工程学院天津300072 
本文采用触摸屏设计了医用长脉冲 Nd∶YAG 激光器的控制系统。通过触摸屏设置脉冲参数,来控制 IGBT 斩波,使输出激光的脉冲宽度在1~99ms 范围内可凋,输出能量在2~55J 范围内可调。充电控制电路使储能电容两端的电压波动稳定在±1...
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