摘要：二维材料由于其独特的纳米片结构,已广泛应用于设计高气体渗透通量和选择性的分离膜中.石墨烯类、二维金属有机骨架、二维过渡金属碳化物/碳氮化物等二维材料中构筑的纳米及纳米尺度孔道为分子输运提供了特殊的通道,它们是高渗透性和高选择性分子筛分的根本原因.本文综述了近年来二维材料基CO_(2)分离膜的研究进展,包括材料种类、分离膜的制备方法、分离性能及分离机制,并对二维材料基CO_(2)分离膜的应用前景进行了总结与展望.

摘要：为获得更优性能的无铟透明导电薄膜,需要在不损害薄膜透光性的同时提高导电性能.本文采用紫外光刻和磁控溅射,在Cu网格的表面覆盖Al掺杂的ZnO(ZnO:Al,AZO)薄膜,制备透明导电的AZO/Cu网格复合膜.Cu网格的线宽低至15μm,透光性极高,并且导电性能得到大幅度改善,覆盖稳定的透明导电AZO薄膜为Cu网格提供屏障保护.通过六边形网格形状的设计和工艺参数的优化,制备出的复合膜的可见光波段透过率达到86.4%,方块电阻降低至4.9Ω/sq,同时实现了高透光性和高导电性.成本低廉、光电性能好且环境稳定的AZO/Cu网格复合膜在透明电子领域具有广泛的应用前景,将其用于透明电加热膜,可在较低电压下实现快速、均匀、稳定的电热响应,有望作为透明的面发热膜应用于除雾除霜玻璃、热疗贴膜等.

摘要：光控质子传导在先进传感器和信息处理设备中有重要的应用前景.本文通过将吲哚菁绿(ICG)引入HSB-W5基体中,制备出一种利用光热转换实现光控质子传导性能的金属有机骨架(MOFs)薄膜(ICG@HSB-W5),并以此为基础构建了NOT、NAND和NOR逻辑门.ICG@HSB-W5薄膜的质子电导率是HSB-W5薄膜的25倍;而且该薄膜的质子电导率对激光具有高效快速的响应,开关比超过1000,可以形成不同的电导状态来构建逻辑门.在这个逻辑门系统中,808-和405-nm的激光作为输入信号,质子电导率作为输出信号.质子电导率作为一种电信号可根据实际需求调节阈值,也能方便地被接收和检测.本文为MOF基分子逻辑门的设计提供了一种新的途径并有助于质子逻辑门甚至更复杂的逻辑器件的发展.

摘要：ZnO具有大量原生氧空位,理论上适合应用于价态转变机制的忆阻器件。但由于晶界的存在,氧离子和氧空位可以通过晶界进行快速迁移,导致形成的氧空位导电丝几何结构具有很大的随机性,进而使得器件稳定性降低。所以,通过非晶化可以消除晶界的不利影响,从而提高忆阻器的稳定性。本研究在4.4 Pa氧压下利用脉冲激光沉积常温制备了非晶ZnO薄膜和非晶ZnAlSnO薄膜(Zn∶Al∶Sn=4∶2∶7 at.%)以及相应的忆阻器。测试发现,非晶ZnAlSnO薄膜热稳定性良好,对应的器件展现了优异的忆阻性能:稳定性高,阻值读取一致性良好,保持性能良好,开关比可大于10^(4)。结果证明Sn-Al共掺提高了氧空位导电丝稳定性,为氧化物忆阻器的材料设计提供了新的思路。

摘要：本文采用正交试验设计法优化硅片化学清洗工艺，由Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）检测清洗后的硅表面沾污杂质．结果表明，硅表面主要沾污杂质氧和碳的最低含量分别为１．６×１０１３／ｃｍ２和３．１×１０１３／ｃｍ２，均达到超净的水平（～３×１０１３／ｃｍ２）．本文还研究了Ⅰ号液和Ⅱ号液对硅片表面沾污的影响．

摘要：硅是间接带隙半导体 ,不能有效地发光。量子理论、超晶格理论和纳米技术的发展 ,给硅基发光研究提供了理论的和技术的支撑。研究者通过不同的途径去实现硅的有效发光 :多孔硅、纳米硅、Si/SiO2 超晶格、计算化设计与硅晶格匹配的直接带隙半导体。

摘要：采用UHV/CVD技术,以多层SiGe/Si结构作为缓冲层来生长应变弛豫SiGe虚衬底,并在此基础上生长出了具有张应力的Si层.利用高分辨X射线、二次离子质谱仪和原子力显微镜分别对薄膜的晶体质量、厚度以及平整度进行了分析.结果表明,通过这种方法制备的SiGe虚衬底,不仅可以有效提高外延层中Ge含量,以达到器件设计需要,而且保证很好的晶体质量和平整的表面.Schimmel液腐蚀后观察到的位错密度只有1×106cm-2.

摘要：自行设计了一套具有创新性的研究型立式高真空MOCVD装置 ,能够较好的调节反应气体的流动状态 ,从而在衬底上生长大面积均匀的外延层。利用该装置在蓝宝石和硅单晶衬底上成功地生长出高质量的GaN晶体薄膜。在蓝宝石衬底上生长出n、p型GaN以及多量子阱多层结构材料 ,并成功制备了GaN基多层量子阱结构的蓝光发光二极管 ,性能良好 ,具有实用价值。

摘要：AB5型贮氢合金的性能主要取决于其成分、结构和显微组织。本文从AB5型贮氢合金的晶体结构出发 ,详细讨论了AB5型贮氢合金在诸多方面的优化措施 :(1)化学成分上 ,向多元合金化发展 ,降低合金的成本 ,改善合金性能 ;(2 )结构上 ,偏离AB5结构 ,发展非化学计量比合金 ;(3)显微组织上 ,从主相向“主相 +辅相”发展 ;(4 )工艺上 ,开发新的合金制备、热处理和表面改性等工艺方法 ;(5 )改善合金使用环境 ;(6 )研究方法上理论化、系统化。通过这些途径 ,可以对AB5型贮氢合金进行深入研究 ,进一步提高合金的性能。

摘要：本文提出了一种易测试ＰＬＡ的新设计，这种设计使ＰＬＡ易于测试，所增加的硬件只是一个ｍ位移位寄存器．本文还详述了对这种ＰＬＡ进行测试的方法，该测试方法只需要很少的测试向量，测试结果计算简单，具有很高的故障复盖率．