摘要：介绍了一种低功耗高速垂直腔表面发射激光器(VCSEL)驱动器的设计。该芯片设计使用国产0.13μm SOI CMOS工艺,能提供6~8mA可调调制电流及4~7mA可调偏置电流。驱动电路采用多级级联放大并结合无源电感并联峰化技术,用以拓展带宽。测试结果表明,该电路在1.2V单电源工作电压下,最高工作速率可达5Gbit/s,总功耗仅为48mW。

摘要：本文介绍了一种用于粒子物理实验的抗辐照高速并串转换电路芯片的设计,重点介绍了SOS抗辐照工艺,并串转换电路的结构。实现了一款基于SOS 0.25um工艺的8位5.12Gbps并串转换芯片,测试得到芯片的总晃动(total jitter)=53.20ps,其中随机晃动(random jitter)=1.84ps,确定性晃动(deterministic jitter)=33.93ps。