摘要：红外量子阱探测器是利用量子阱材料导带内子带间光跃迁对红外辐射的强吸收,来测量红外辐射强度的一种新型的、快速灵敏的红外探测器.其工作原理是:首先利用掺杂使量子阱中的基态上填充上具有一定浓度的二维电子,当入射光子能量■等于子带间能隙时。照射到器件接收面上的红外辐射将处于基态上的电子激发到较高激发态上,这些激发热电子在外场作用下,在匹配的外电路中形成与入射光强度成正比的电流或电压信号.该探测器的响应波段可以覆盖8—14μm的波长范围,响应速度快(皮秒量级),灵敏度较高(D*～1010cmHz1/2/W),并且可以通过改变材料的生长参数例如阱宽、合金含量等来设计探测器的峰值波长.与 HgCdTe探测器相比,它有很多明显的优点.首先,GaAs/AlGaAs系列的量子阱探测器很容易与GaAs场效应晶体管、电荷耦合器件等实现单片集成,有利于提高光电信息处理的速度.其次,GaAs树底材料比起HsCdT。衬底材料来,既大又便宜,而且质量好.成熟的GaA。MBE技术可以提供相当均匀的、重复性能好的和组分可以控制的大于75mm的多量子阶材料.GaAs系列材料的热稳定性也比HgCdTe好.由于有了上述优点,用多量子阶材料可以制成高速...

摘要：使用脉冲激光沉积在SrTiO3衬底上生长了不同厚度的BiFeO3(BFO)薄膜,X射线衍射分析表明薄膜是BFO外延薄膜.X射线反射率测量发现BFO薄膜密度随着厚度的增加而增加,同时薄膜表面存在厚度为数纳米的非设计覆盖层.随着厚度的增加,BFO薄膜由完全应变过渡到应变部分弛豫状态,同时BFO从四方相转变为单斜相.

摘要：由于量子尺寸受限效应和超周期性的存在,超晶格量子阱的导带中形成了量子化的子能带.这些子能带可以由控制垒宽、垒高和阱宽,以及由设计阱的形状而得到剪裁,使导带中子能带间光跃迁的红外共振吸收峰在相当宽的范围得到调节.所谓量子阱红外探测器,就是利用半导体超晶格量子阱材料子带间光跃迁的红外吸收特性研制而成的一种新颖、快速。