摘要：设计了一种采用新型读出电路的CMOS图像传感器,该器件电路结构简单,由四个MOS管,一个电容构成;驱动信号源少,只需两个相配合的脉冲;功耗小于0.7mW;单端输出方便模数转换的视频信号;可以实现片内差分。给出了理论分析和电路模拟仿真的结果数据及波形。采用标准1.2μmN阱DPDMCMOS工艺设计了一个256元的实验器件,像元中心距为25μm,器件尺寸大小为1mm×11mm,并对器件进行了主要参数的测试和数据分析,验证了该器件的功能。

摘要：研制采用电流镜积分高性能读出电路的 X 射线图像传感器(CMI-X-IS),传感器像元由采用CMOS 工艺的光电二极管实现,利用电流镜将产生的光电流变成镜像并放大到积分电容中,经相关双采样电路抑制噪声后,由 CMOS 移位寄存器和多路开关电路输出视频信号。对 CMI-X-IS 要求的时序关系进行了分析。设计了 CMI-X-IS 的应用电路,并将其应用于一个实验系统中,得到了不同密度、不同尺寸材料的视频信号波形和清晰的目标物 X 射线图像。实验表明,CMI-X-IS具有较小的非均匀性(NU≤3.532%)、较低的暗噪声(Vn≤0.45mV)、较大的单位面积响应度(Ro=57.87×105V/***2)、较高的输出电压(可达 5V)和较宽的动态范围(Dr ≥77dB),可以应用到 X 射线实时成像检测领域。

摘要：基于电流镜积分读出电路的X射线CMOS图像传感器 (CMI X IS)的原理 ,并对电流镜积分读出电路进行了计算机模拟。对CMI X IS的性能参数进行了测试 ,并对光电转换特性曲线进行了分析。设计了CMI X IS的应用电路 ,得到了不同密度、不同尺寸材料的视频信号波形。测试结果和实验表明 ,CMI X IS具有较低的暗噪声、较大的响应度、较高的输出电压和较宽的动态范围 ,可以应用于X射线实时成像检测领域。

摘要：研制出一种 Ｃ Ｍ Ｏ Ｓ 差分放大器组成的电容反馈互导放大器（ Ｃ Ｔ Ｉ Ａ） 型红外焦平面读出电路，其输出端带有相关双取样（ Ｃ Ｄ Ｓ） 电路。对读出电路的注入效率进行了计算机模拟。介绍了器件的设计与工艺分析。实验结果表明，在７７ Ｋ 下，读出电路的动态范围为６６ ｄ Ｂ，功耗典型值为０ ．５３ 毫瓦／

摘要：通过对多路并行输出的高帧速自扫描光电二极管面阵（ＳＳＰＡ）的研究，分析了影响面阵帧速和响应度的主要因素。设计并制作出３２×３２位多路并行输出的ＳＳＰＡ实验样品。其性能参数为：ＦＰＳ（帧速）≤２０００帧／秒时，Ｖｏｓ（最大输出电压）＝２４０ｍＶ，Ｒ（响应度）＝１．０９Ｖ·１ｘ－１·ｓ－１；ＦＰＳ＝１００００帧／秒时，Ｖｏｓ＝１５０ｍＶ；ＦＰＳ＝１５０００帧／秒时，Ｖｏｓ＝１００ｍＶ。

摘要：从自扫描光电二极管列阵（ＳＳＰＡ）的工作原理出发，提出采用外延、离子注入、推阱的技术，研究一种新颖的高响应度的ＰＩＮ结构的ＳＳＰＡ器件，详细的分析了工艺设计方案和实验方法，最后提供了样品的测试参数。

摘要：X射线直接成像的CMOS图像传感器由于工作在X射线辐射下,其内部器件会因为辐射效应引起性能恶化,因此需要对器件进行抗辐射加固并研究辐射对器件参数的影响。辐射导致的氧化物陷阱电荷及界面陷阱电荷受到栅氧厚度、偏置电压大小、辐射总剂量以及剂量率等多种因素影响。设计了n型场效应晶体管辐射加固结构版图,用0.5μm CMOS工艺流片,并进行了30 kGy(Si)的总剂量辐照效应实验。实验结果显示,所设计的n型场效应晶体管在辐射之后漏电流有所增加、跨导减小、阈值电压向负向漂移;辐射加固晶体管在漏电流性能上较未加固晶体管更好,在跨导改变和阈值电压漂移上未能表现出其更优的性能。

摘要：介绍了重庆大学光电工程学院中心实验室的改革实践。通过明确实验室改革思路与定位,采取有效措施,在实验室管理体制、实验教学内容体系、实验室硬件建设、学生创新实验平台建立等各方面进行了一系列改革创新。加大了设计性综合性实验教学内容比例,改善了实验教学环境,学生能力培养得以提高,实验教学取得了好的成绩,中心实验室有了大变化。

摘要：采用1.2 μm DPDM n阱CMOS工艺设计并研制成功320×240热释电非制冷红外焦平面探测器读出电路.该读出电路中心距为50 μm,功耗小于50 mW,主要由X、Y移位寄存器、列放大器、相关双采样电路等构成,采用帧积分工作方式.经测试,研制的读出电路性能指标达到设计要求.给出了单元读出电路的电路结构、工作过程和参数测试结果.采用该读出电路和热释电红外探测阵列互联后,获得了良好的红外热像.

摘要：热释电红外焦平面阵列是非致冷红外焦平面阵列的主要发展方向之一 ,其读出电路是关键部件 ,属数模混合集成电路。分析了热释电读出电路的特点 ,设计原则 。